[发明专利]多波长混合集成光发射阵列

权利要求书

1.一种多波长混合集成光发射阵列，其特征在于，包括多个光处理单元，每个光处理单元包括：

一有源光器件，用于发射激光，包含第一衬底，所述第一衬底为III-V族半导体材料；

一分束光波导，用于将所述激光分束形成分束激光，包含第二衬底，第二衬底的材料与第一衬底相同。

2.根据权利要求1所述的多波长混合集成光发射阵列，其特征在于，所述III-V族半导体材料包括磷化铟。

3.根据权利要求1所述的多波长混合集成光发射阵列，其特征在于，每个光处理单元还包括：

一对平行光波导，与所述分束光波导相连，用于改变所述分束激光的相位；

三个行波电极，用于为所述平行光波导提供调制电压；

一合束光波导，与所述平行光波导相连，用于将相位调制后的分束激光进行合束，形成合束激光。

4.根据权利要求3所述的多波长混合集成光发射阵列，其特征在于，还包括：

阵列波导光栅，用于将多个光处理单元发射的多束合束激光，复合成一束多波长激光。

5.根据权利要求3所述的多波长混合集成光发射阵列，其特征在于，所述合束光波导的衬底材料与第一衬底的材料相同。

6.根据权利要求1所述的多波长混合集成光发射阵列，其特征在于，所述有源光器件还包括：

一缓冲层，位于所述第一衬底上；

一有源层，位于所述缓冲层上；

一光栅层，位于所述有源层上；

一第一上波导层，位于所述光栅层上。

7.根据权利要求6所述的多波长混合集成光发射阵列，其特征在于，分束光波导一侧的光栅层镀有增透膜，光栅层的另一侧镀有高反膜。

8.根据权利要求1或7所述的多波长混合集成光发射阵列，其特征在于，所述分束光波导还包括：

一缓冲层，位于所述第二衬底上；

一芯层，位于所述缓冲层上；

一第二上波导层，位于所述芯层上。

9.根据权利要求8所述的多波长混合集成光发射阵列，其特征在于，由所述第一缓冲层、有源层、第一上波导层构成的光波导的宽度，随着所述芯层的禁带宽度的变大而变小。

10.根据权利要求3所述的多波长混合集成光发射阵列，其特征在于，所述平行光波导材料为铌酸锂。