[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法在审
申请号: | 201710288383.0 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN107507810A | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 松原义久 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/50;H01L21/48 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 杨宏军,李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,具有
半导体芯片,和
所述半导体芯片上的散热部,
所述散热部具有树脂和从所述树脂突出的散热片,
所述散热片具有石墨烯,
所述散热片以所述石墨烯在与所述半导体芯片的表面交叉的方向上配置的方式配置在所述半导体芯片上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,
所述散热部为将石墨片与树脂带层叠并卷绕而得到的卷绕体。
3.一种半导体器件,具有
半导体芯片,
所述半导体芯片上的封固树脂,和
所述封固树脂中包埋的散热部,
所述散热部具有树脂和从所述树脂突出的散热片,
所述散热片具有石墨烯,
所述散热片以所述石墨烯在与所述半导体芯片的表面交叉的方向上配置的方式配置在所述半导体芯片上。
4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,
所述散热部为将石墨片与树脂带层叠并卷绕而得到的卷绕体。
5.一种半导体器件的制造方法,具有
(a)准备散热部的工序,
(b)将所述散热部搭载于半导体芯片上的工序,
所述散热部具有树脂和从所述树脂突出的散热片,
所述散热片具有石墨烯,
所述(b)工序是以所述石墨烯在与所述半导体芯片的表面交叉的方向上配置的方式,将所述散热部搭载于所述半导体芯片上的工序。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法,其中,
所述散热部的形成工序具有
(a1)将第一宽度的石墨片、与比所述第一宽度小的第二宽度的树脂带在层叠的状态下卷绕的工序。
7.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法,其中,
所述散热部的形成工序具有
(a1)通过将石墨片与树脂带在层叠的状态下卷绕,从而形成卷绕体的工序,
(a2)通过对从所述卷绕体的一侧露出的所述树脂带进行蚀刻,从而形成由从所述树脂带突出的所述石墨片形成的散热片的工序。
8.一种半导体器件的制造方法,具有
(a)准备将石墨片与树脂带层叠并卷绕而得到的卷绕体的工序,
(b)将所述卷绕体搭载于半导体芯片上的工序,
(c)用封固树脂覆盖所述卷绕体及所述半导体芯片的周围的工序,
(d)除去所述卷绕体上的所述封固树脂直至所述卷绕体的表面露出为止的工序,
(e)通过对从所述卷绕体的所述表面露出的所述树脂带进行蚀刻,从而形成由从所述树脂带突出的所述石墨片形成的散热片的工序,
其中,所述(b)工序是以构成所述石墨片的石墨烯在与所述半导体芯片的表面交叉的方向上配置的方式,将所述卷绕体搭载于所述半导体芯片上的工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710288383.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:无线差压变送器
- 下一篇:一种小型硅蓝宝石压差传感器