[发明专利]一种基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器有效
| 申请号： | 201710287611.2 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106961071B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 梁磊;张建;张星;秦莉;曾玉刚;宁永强;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/20 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 有源 波导 半导体 放大器 | ||
1.一种基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器，其特征在于，包括有源层，以及分别生长于所述有源层上表面和下表面的上波导层和下波导层，所述有源层的折射率与所述上波导层或者所述下波导层的折射率的差值小于或者等于阈值，使得基模强光场分布从所述有源层扩散至所述上波导层以及所述下波导层，其中，所述阈值的范围为0-3％，所述有源层包括：无掺杂势阱与无掺杂势垒周期性交错生长构成的多量子阱；生长于所述多量子阱上表面以及下表面的无掺杂边界层。
2.如权利要求1所述的基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器，其特征在于，所述无掺杂边界层的厚度范围为5nm-50nm。
3.如权利要求2所述的基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器，其特征在于，还包括：
波导上包层，包括生长于所述上波导层上表面的P型掺杂上限制层，以及生长于所述上限制层上表面的P型掺杂上缓冲层，所述P型掺杂上缓冲层的折射率小于或者等于所述P型掺杂上限制层的折射率。
4.如权利要求3所述的基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器，其特征在于，还包括：
波导下包层，包括生长于所述下波导层下表面的N型掺杂下限制层，以及生长于所述下限制层下表面的N型掺杂下缓冲层，所述N型掺杂下缓冲层的折射率小于或者等于所述N型掺杂下限制层的折射率。
5.如权利要求4所述的基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器，其特征在于，还包括：
设置于所述波导上包层上表面以及P面金属上电极下表面之间的P型重掺杂的电极接触层。
6.如权利要求5所述的基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器，其特征在于，还包括：
覆盖于由所述上波导层构成的平面区域的上表面，以及所述波导上包层以及所述电极接触层部分构成的脊形区域上表面的绝缘层，所述绝缘层的厚度范围为100nm-300nm。
7.如权利要求6所述的基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器，其特征在于，还包括：
设置于所述波导下包层下表面的N型高掺杂衬底，以及设置于所述N型高掺杂衬底下表面的N面金属下电极。
8.如权利要求7所述的基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器，其特征在于，前后端面镀有反射率小于0.01％的增透膜。
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