[发明专利]基于图形化模板的半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710287383.9 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108807630B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张纪才;陈刚;李雪威;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 图形 模板 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种基于图形化模板的半导体器件的制作方法，其特征在于，图形化模板的半导体器件包括图形化的模板以及支撑于图形化模板上的外延结构，所述图形化的模板包括阵列设置的多个微柱，
所述图形化的模板采用AlN材质，所述外延结构包括AlGaN层，
该半导体器件为深紫外LED，
所述图形化的模板与空气之间构成非平面的界面，通过降低全反射提高深紫外LED的光提取效率，
图形化模板的半导体器件的制作方法包括步骤：
s1、通过HVPE方式在衬底上生长模板材料；
s2、通过刻蚀，获得具有微柱阵列的图形化模板；
s3、在图形化模板上外延生长外延结构；
s4、剥离衬底。
2.根据权利要求1所述的基于图形化模板的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述衬底为蓝宝石。
3.根据权利要求1所述的基于图形化模板的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述微柱的截面为圆形、六边形、正方形或三角形。
4.根据权利要求1所述的基于图形化模板的半导体器件的制作方法，其特征在于：每个所述微柱的最大截面半径在0.1~2微米。
5.根据权利要求1所述的基于图形化模板的半导体器件的制作方法，其特征在于：相邻所述微柱之间的间距在0.1~2微米。
6.根据权利要求1所述的基于图形化模板的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述图形化的模板的厚度在10~20微米。
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