[发明专利]包括垂直沟道的薄膜晶体管以及使用其的显示设备有效
| 申请号: | 201710286203.5 | 申请日: | 2017-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN107369691B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
| 发明(设计)人: | 金志训;梁伸赫;金斗铉;李光洙;郑仁永 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;H01L23/64 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 垂直 沟道 薄膜晶体管 以及 使用 显示 设备 | ||
提供了一种薄膜晶体管和一种显示设备。所述薄膜晶体管包括基底和设置在基底上的栅电极。栅电极包括中心部和被构造为至少部分地围绕中心部的外围部。薄膜晶体管还包括设置在栅电极下面的栅极绝缘层和与栅电极通过栅极绝缘层绝缘的第一电极。第一电极使其至少一部分与中心部叠置。薄膜晶体管另外包括设置在第一电极下面的间隔件和与第一电极通过间隔件绝缘的第二电极。第二电极使其至少一部分与外围部叠置。薄膜晶体管还包括连接到第一电极和第二电极并且与栅电极通过栅极绝缘层绝缘的半导体层。
本申请要求于2016年5月12日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0058192号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及一种薄膜晶体管以及使用该薄膜晶体管的显示设备,更具体地,涉及一种包括垂直沟道的薄膜晶体管以及使用该薄膜晶体管的显示设备。
背景技术
显示设备是用于视觉上显示图像的设备。显示设备的类型可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、等离子体显示器、阴极射线显示器等。
显示设备可以包括显示器件、薄膜晶体管、将这些组件彼此连接的布线等。具有高完整性和高性能的薄膜晶体管已经用于实现由显示设备显示的更高分辨率的图像。
发明内容
根据本发明构思的示例性实施例,薄膜晶体管包括基底和设置在基底上的栅电极。栅电极包括中心部和被构造为至少部分围绕中心部的外围部。薄膜晶体管还包括设置在栅电极下面的栅极绝缘层和与栅电极通过栅极绝缘层绝缘的第一电极。第一电极使其至少一部分与中心部叠置。薄膜晶体管另外包括设置在第一电极下面的间隔件和与第一电极通过间隔件绝缘的第二电极。第二电极使其至少一部分与外围部叠置。薄膜晶体管还包括连接到第一电极和第二电极并与栅电极通过栅极绝缘层绝缘的半导体层。
在本发明构思的示例性实施例中,外围部连接到中心部的一侧,外围部根据中心部的形状与中心部均匀地分开,并且被构造为至少部分地围绕中心部的周边。
在本发明构思的示例性实施例中,中心部具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状。
在本发明构思的示例性实施例中,外围部被构造为围绕中心部的周边。
在本发明构思的示例性实施例中,中心部和第一电极以及设置在中心部与第一电极之间的栅极绝缘层形成电容器。
在本发明构思的示例性实施例中,半导体层被构造为覆盖第一电极的一部分和第二电极的至少一部分,并且在与基底的上表面垂直的方向上将第一电极和第二电极彼此连接。
在本发明构思的示例性实施例中,第一电极与第二电极的至少一部分叠置。
在本发明构思的示例性实施例中,间隔件包括孔。
在本发明构思的示例性实施例中,第一电极包括孔。
在本发明构思的示例性实施例中,栅电极和栅极绝缘层具有相同的平面形状。
在本发明构思的示例性实施例中,薄膜晶体管还包括被构造为覆盖栅电极的保护层。保护层是横跨基底的整个表面的整体连接体。
在本发明构思的示例性实施例中,半导体层包括氧化物半导体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





