[发明专利]有源矩阵有机发光二极管面板及制作其的方法有效
申请号: | 201710285922.5 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN107093616B | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 有机 发光二极管 面板 制作 方法 | ||
本发明提出了一种有源矩阵有机发光二极管面板,自下而上依次包括衬底基板、第一电极层、不透明绝缘层和其间设置有像素区的像素界定层,其中,不透明绝缘层伸入设置有有机发光层的像素区内,有机发光层在靠近像素界定层的朝向像素区的斜面处形成有膜厚不均匀区,沿衬底基板的法线方向观测,膜厚不均匀区在不透明绝缘层上的投影位于不透明绝缘层的内部。这样的面板,膜厚不均匀区导致的不均匀发光亮度能够被不透明绝缘层完全遮挡,只有膜厚均匀区发出的均匀的亮度透过衬底基板,使得像素区的亮度均匀,提高了面板的亮度均一性。本发明提出的制作该面板的方法,能够保证该面板的性能,提高了产品品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种有源矩阵有机发光二极管面板及制作其的方法。
背景技术
在喷墨打印有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light emittingdiode,AMOLED)面板的制作过程中,在制作完成薄膜晶体管器件后,会在其上部沉积电极层并进行构图工艺,形成与薄膜晶体管存在电性连接的第一电极层。然后,在第一电极层上部制作像素界定层(Pixel Defined Layer,PDL)。在制作PDL层时,首先进行有机光阻涂布,然后进行曝光、显影、烘烤得到PDL层,PDL层会出现表面疏水侧面亲水的状况。如图1所示,得到的PDL层14为上底小于下底的梯形,PDL层之间设置有像素区16,PDL层14的表面142疏水,而斜面141亲水。由于这种疏水和亲水的状况很难控制好,在将有机发光墨液(Ink)打印到像素区16时,会在靠近PDL层斜面141处出现墨液膜厚不均匀的问题。如图1所示,在两个PDL之间的墨液膜15,由于PDL层14的斜面141亲水,导致墨液膜15在靠近斜面141处形成膜厚不均匀区151,从而当电流流过膜厚不均匀区151时,出现发光亮度不均的问题。
发明内容
针对墨液膜在边缘区膜厚不均导致的发光亮度不均的问题,本发明提出了一种有源矩阵有机发光二极管面板,同时提出了制作其的方法。
本发明提出的有源矩阵有机发光二极管面板,自下而上依次包括衬底基板、第一电极层、像素界定层,其中,在所述像素界定层之间设置有像素区,在所述像素区内设置有有机发光层,所述有机发光层在靠近所述像素界定层的朝向所述像素区的斜面处形成有膜厚不均匀区,其特征在于,
所述面板还包括至少部分设置在所述第一电极层与所述像素界定层之间的不透明绝缘层,所述不透明绝缘层伸入所述像素区内,沿所述衬底基板的法线方向观测,所述膜厚不均匀区在所述不透明绝缘层上的投影位于所述不透明绝缘层的内部。
当电流流过膜厚不均匀区时,会出现发光亮度不均。通过设置不透明绝缘层,并使得沿衬底基板的法线方向观测,膜厚不均匀区在不透明绝缘层上的投影位于不透明绝缘层的内部,从而膜厚不均匀区导致的不均匀发光亮度能够被不透明绝缘层完全遮挡,因此只有有机发光层的膜厚均匀区发出的均匀的亮度透过衬底基板,从而使得像素区的亮度均匀,提高了有机发光二极管显示面板的亮度均一性。
作为对本发明的进一步改进,所述不透明绝缘层自下而上依次包括第一绝缘层、不透明层、第二绝缘层。
不透明层能够很好地遮挡膜厚不均匀区发出的不均匀亮度,在不透明层的上部和下部分别设置的第一绝缘层和第二绝缘层,能够保证不透明层与其他层之间的良好绝缘,从而使得不透明绝缘层同时具有了不透明和绝缘的性能。
作为对不透明绝缘层的进一步改进,构成所述第一绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅,构成所述第二绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅。构成所述不透明层的材料为金属。所述金属为钼或铝。
氧化硅、氮化硅、钼、铝皆为显示面板制程中常用的材料,不仅能够方便地获取这些材料,而且能够降低面板的制作成本。
作为对本发明的进一步改进,构成所述像素界定层的材料为有机光阻材料。所述有机光阻材料为丙烯酸塑料或聚酰亚胺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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