[发明专利]一种显示面板和显示设备有效
申请号: | 201710285802.5 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN107425033B | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 翟应腾 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 设备 | ||
本发明实施例提供一种显示面板和显示设备。其中,显示设备包括阵列基板;有机发光层,有机发光层包括依次设置的第一电极、有机功能层和第二电极;薄膜封装层,包覆有机发光层;触控电极;第二电极的部分边缘在阵列基板上的投影和薄膜封装层的部分边缘在阵列基板上的投影均具有凹凸状轮廓,凹凸状轮廓包括凸部和凹部,第二电极的凸部通过第一过孔与位于阵列基板内的第一金属走线电连接;第二过孔在阵列基板上的垂直投影与薄膜封装层在阵列基板上的垂直投影不交叠,且至少部分第二过孔在阵列基板上的垂直投影位于薄膜封装层的凹部在阵列基板上的垂直投影内。本发明实施例提供的技术方案,可以确保薄膜封装层可靠封装,并且实现了显示面板窄边框。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板和显示设备。
背景技术
有机发光显示器(OLED,Organic Light Emitting Display)具有自发光、较高的对比度、较低耗电、极高的反应速度等优点,得到了广泛的关注,被认为是下一代显示技术的发展方向。
图1A是现有技术中一种有机发光显示器的俯视示意图,图1B是沿图1A中A-A方向的剖面示意图。参见图1A和图1B,该显示器包括阵列基板100、阳极层、有机功能层200、阴极层300、薄膜封装层400和触控电极层500,阴极层300通过过孔700与阵列基板100内的金属走线电连接,触控电极层500通过过孔600与阵列基板100内的金属走线电连接。为了不破坏薄膜封装层400,触控电极层500接触电连接的过孔600需要设置在薄膜封装层400的外侧,如图中设置在薄膜封装层400的两侧,将占用较多的边框,有机发光显示器的边框比较大。
发明内容
本发明提供一种显示面板和显示设备,以在对显示面板可靠封装的同时,实现显示面板的窄边框。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,该显示面板包括:
阵列基板;
有机发光层,位于所述阵列基板的一侧,所述有机发光层包括第二电极;
薄膜封装层,位于所述有机发光层背离所述阵列基板的一侧,且包覆所述有机发光层;
触控电极,位于所述薄膜封装层背离所述阵列基板的一侧;
所述第二电极的边缘和所述薄膜封装层的边缘具有凹凸状轮廓,所述凹凸状轮廓包括凸部和凹部,所述第二电极的凸部通过第一过孔与位于所述阵列基板内的第一金属走线电连接;
所述触控电极通过第二过孔与位于所述阵列基板内的第二金属走线电连接,并通过所述第二金属走线接收和/或发送触控信号;
所述第二过孔在所述阵列基板上的垂直投影与所述薄膜封装层在所述阵列基板上的垂直投影不交叠,且至少部分所述第二过孔在所述阵列基板上的垂直投影位于所述薄膜封装层的所述凹部在所述阵列基板上的垂直投影内。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示设备,该显示设备包括本发明任意实施提供的显示面板。
本发明提供的技术方案,第二电极的部分边缘在阵列基板上的投影和薄膜封装层的部分边缘在阵列基板上的投影均具有凹凸状轮廓,凹凸状轮廓包括凸部和凹部,第二过孔在所述阵列基板上的垂直投影与所述薄膜封装层在所述阵列基板上的垂直投影不交叠,且至少部分第二过孔在所述阵列基板上的垂直投影位于所述薄膜封装层的所述凹部在所述阵列基板上的垂直投影内。第二电极通过过孔与阵列基板内的第一金属走线电连接时,第二过孔的位置区域对应在薄膜封装层的凹部,第二过孔避开薄膜封装层的凸部,第二过孔不会穿过薄膜封装层,第二过孔不会穿透薄膜封装层,即薄膜封装层上不做过孔,保证薄膜封装层可靠封装。而且由于第二过孔的位置对应薄膜封装层的凹部区域,第二过孔占用的边框区域与薄膜封装层占用的边框区域部分重合,相当于缩窄了边框,实现了显示面板的窄边框。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的