[发明专利]一种多光谱发光二极管结构在审
| 申请号： | 201710284866.3 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107170866A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘军林;江风益;莫春兰;张建立;王小兰;吴小明;高江东 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/04;H01L33/30;H01L33/26 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光谱 发光二极管 结构 | ||
1.一种多光谱发光二极管结构，包含：衬底；层叠于所述衬底上的半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层n型半导体层、一层p型半导体层和一层夹于n型半导体层、p型半导体层之间的多光谱发光多量子阱层；其特征在于：所述多光谱发光多量子阱层由量子阱禁带宽度不同的两组或三组层叠排列的多量子阱发光单元组成，两组层叠排列的多量子阱发光单元能同时出射两种波长的光，三组层叠排列的多量子阱发光单元能同时出射三种波长的光，任意两种波长的光之间的波长差为λ，其中:100nm≥λ≥10nm；所述多量子阱发光单元是由量子阱层和量子垒层组成的周期结构，周期数为k，其中:10≥k≥1；所述多量子阱发光单元的发光波长由多量子阱发光单元的量子阱禁带宽度决定，发光波长范围为380nm─700nm。
2.根据权利要求1所述的多光谱发光二极管结构，其特征在于：发光光谱通过改变所述多量子阱发光单元的量子阱禁带宽带、量子阱层和量子垒层周期结构的周期数、量子阱层厚度、量子垒层厚度进行调节。
3.根据权利要求1所述的多光谱发光二极管结构，其特征在于：所述半导体叠层是铟镓铝氮（InxGayAl1-x-yN，0≤x≤1，0≤y≤1）或铟镓铝磷（InxGayAl1-x-yP，0≤x≤1，0≤y≤1）发光材料中的一种。
4.根据权利要求1所述的多光谱发光二极管结构，其特征在于：所述衬底为硅、蓝宝石、碳化硅、砷化镓、氮化铝、磷化镓、氧化锌以及氮化镓中的一种。
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