[发明专利]点阵式光电探测器在审
申请号: | 201710284673.8 | 申请日: | 2017-04-26 |
公开(公告)号: | CN106960884A | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 黄晓敏 | 申请(专利权)人: | 黄晓敏 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/102 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人: | 冯筠 |
地址: | 528000 广东省佛山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵式 光电 探测器 | ||
1.一种点阵式光电探测器,其特征在于,包含:
绝缘基板;
绝缘基板上的金属层,所述金属层上的第一透明导电氧化物层;
所述第一透明导电氧化物层上的绝缘层;
所述绝缘层内均匀分布且呈点阵式的孔洞;
所述孔洞内填充砷化镓材料,并且填充完成后上表面与绝缘层的上表面齐平;
在所述绝缘层和所述砷化镓材料上方形成的第二透明导电氧化物层;
所述第二透明导电氧化物层上形成透明聚光凸点层,所述透明聚光凸点层由聚光凸点形成,其对应点阵式孔洞并且将照射的光分别汇聚至各个点阵式孔洞中的砷化镓材料上。
2.如权利要求1所述的点阵式光电探测器,其特征在于,所述孔洞的形状为圆形。
3.如权利要求2所述的点阵式光电探测器,其特征在于,所述凸点的形状为圆形凸点,所述透明聚光凸点层由多个圆形凸点相交而形成。
4.如权利要求1所述的点阵式光电探测器,其特征在于,所述孔洞为正方形。
5.如权利要求4所述的点阵式光电探测器,其特征在于,所述凸点的形状为正方形。
6.如权利要求1-5任一项权利要求所述的点阵式光电探测器,其特征在于,所述金属层的材料为银。
7.如权利要求6所述的点阵式光电探测器,其特征在于,所述金属层为银纳米颗粒层。
8.如权利要求1所述的点阵式光电探测器,其特征在于,所述第二透明导电氧化物层上在两列孔洞的中间位置分别形成金属细栅线。
9.如权利要求8所述的点阵式光电探测器,其特征在于,所述第一透明导电氧化物层中还具有金属细栅线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的