[发明专利]石墨烯带太赫兹传感器

权利要求书

1.一种石墨烯带太赫兹传感器，其特征在于，包含：

硅基板，所述硅基板表面形成横向平行凹槽，所述凹槽的各个面上通过表面氧化形成一层氧化物层，在所述氧化物层的表面上形成金属层；

去除所述凹槽两端的金属层；

将石墨烯层转移到在硅基板表面上，通过金属辅助氧化将紧挨凹槽上表面的石墨烯氧化去除，形成石墨烯带；

在石墨烯层所在的去除了金属层的凹槽两端形成源极和漏极；

在硅基板的背面形成银层；

所述横向平行凹槽的上表面宽度与底表面宽度相同，所述横向平行凹槽的长度为宽度的6倍以上，所述石墨烯带的纵横比大于6。

2.如权利要求1所述的石墨烯带太赫兹传感器，其特征在于，所述氧化物层的厚度为表面凹槽深度的1/4-1/8。

3.如权利要求2所述的石墨烯带太赫兹传感器，其特征在于，所述金属层的金属为金、银或铜。

4.如权利要求1所述的石墨烯带太赫兹传感器，其特征在于，在硅基板的背面也形成周期性凹槽，用银填充硅基板背面的凹槽，并且填充完成后用同样的材料形成一层银层。

5.如权利要求1所述的石墨烯带太赫兹传感器，其特征在于，形成石墨烯带后还通过离子刻蚀方法去除所述横向平行凹槽和源漏极区域之外的石墨烯层。

6.如权利要求5所述的石墨烯带太赫兹传感器，所述横向平行凹槽的周期数大于5。

7.如权利要求6所述的石墨烯带太赫兹传感器，其特征在于，所述石墨烯层转移后完全覆盖所述横向平行凹槽。

8.如权利要求7所述的石墨烯带太赫兹传感器，其特征在于，所述源漏极形成位置紧靠所述横向平行凹槽的两端。