[发明专利]超低介高Q的微波介质陶瓷材料及其制备工艺

权利要求书

1.一种超低介高Q的微波介质陶瓷材料，其特征在于：包含以下重量份数比的原料：

SiO₂：20～50份；

H₃BO₃：50～80份；

助剂MO：0.5～1份。

2.根据权利要求1所述的超低介高Q的微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述助剂为MgO或Al₂O₃、ZnO中的一种或几种。

3.一种超低介高Q的微波介质陶瓷材料的制备工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：

A、配料：将二氧化硅与硼酸按照设定的组分称重配料；

B、混合：将配料后的原料湿混20—26小时，球磨介质为锆球与水，然后置于150℃烘箱中经12小时干燥，得到干燥的粉料；

C、预烧：将干燥的粉料置于氧化铝坩埚中，并于650℃—760℃碳棒炉中预烧2—4小时，得到原料粉末；

D、造浆：将原料粉末球磨粉碎20—26小时，球磨介质为锆球与蒸馏水，得到粘稠状的浆料；

E、成型：在浆料中添加粘结剂并喷雾造粒后，再压制成型，最后在950—1200℃碳棒炉中成烧3小时。

4.根据权利要求1所述的超低介高Q的微波介质陶瓷材料的制备工艺，其特征在于，所述步骤B中的水为去离子水。

5.根据权利要求1所述的超低介高Q的微波介质陶瓷材料的制备工艺，其特征在于，所述步骤E中的粘结剂为短链聚乙烯醇粘合剂。

6.根据权利要求1所述的超低介高Q的微波介质陶瓷材料的制备工艺，其特征在于，所述步骤E中粘结剂的浓度为5wt％—20wt％。

7.根据权利要求1所述的超低介高Q的微波介质陶瓷材料的制备工艺，其特征在于，所述步骤E中粘结计的添加为浆料总质量的10％—25％。