[发明专利]一种介质波导耦合结构及多阶介质波导滤波器在审
| 申请号： | 201710279360.3 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN106910969A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 郭晓宏;李松;陈萄;王国光 | 申请（专利权）人： | 四川省韬光通信有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙)51224 | 代理人： | 李崧岩 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介质波导 耦合 结构 滤波器 | ||
1.一种介质波导耦合结构，其特征在于，包括相连的两个介质波导单体(1)；
在两介质波导单体(1)的外表面和连接面分别附有金属屏蔽层，同时在两连接面的中心区域分别设有平面形状和大小均相同的第一金属屏蔽层缺失孔(2)；
两连接面的金属屏蔽层通过拼接形成连接两介质波导单体(1)的耦合桥(3)，并使两第一金属屏蔽层缺失孔(2)对准，拼接成贯通所述耦合桥(3)的空腔。
2.如权利要求1所述的一种介质波导耦合结构，其特征在于，两连接面的金属屏蔽层通过边缘焊接方式拼接成所述耦合桥(3)。
3.如权利要求1所述的一种介质波导耦合结构，其特征在于，所述第一金属屏蔽层缺失孔(2)的平面形状呈圆形、正多边形、矩形、十字交叉形状或“X”交叉形状。
4.如权利要求1所述的一种介质波导耦合结构，其特征在于，所述金属屏蔽层为被银层或被金层。
5.如权利要求1或4所述的一种介质波导耦合结构，其特征在于，所述金属屏蔽层的厚度大于20um。
6.如权利要求1所述的一种介质波导耦合结构，其特征在于，所述介质波导单体(1)为由陶瓷介质材料制成的方形实心体或者圆柱形实心体。
7.一种多阶介质波导滤波器，其特征在于，包括第一波导接头(101)、第二波导接头(102)和多个依次串联形成波导主通道的介质波导单体(1)，其中，所述第一波导接头(101)和所述第二波导接头(102)分别连接位于所述波导主通道两端的介质波导单体(1)；
在所述波导主通道上相邻的两介质波导单体(1)采用如权利要求1至6任意一项所述的介质波导耦合结构相连。
8.如权利要求7所述的一种多阶介质波导滤波器，其特征在于，在处于所述波导主通道端部的介质波导单体(1)的外表面设有第二金属屏蔽层缺失孔(4)；
所述第一波导接头(101)或所述第二波导接头(102)在穿过所述第二金属屏蔽层缺失孔(4)后插接对应的介质波导单体(1)，并使所述第二金属屏蔽层缺失孔(4)与对应的波导接头过盈配合。
9.如权利要求7所述的一种多阶介质波导滤波器，其特征在于，存在至少一对在所述波导主通道上非相邻的且外表面相互抵靠的两介质波导单体(1)。
10.如权利要求7所述的一种多阶介质波导滤波器，其特征在于，所述波导主通道为直线型通道、“Z”字型通道或“U”字型通道。
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