[发明专利]一种偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法

权利要求书

1.一种偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法，其特征在于，包括：

提供进行过磨平面处理的偏向SiC晶体，提供X射线定向仪；

标记偏向SiC晶体的生长大边、生长小边；

选取偏向SiC晶体的衍射面，将X射线定向仪的探测器位置固定在该衍射面发生布拉格衍射位置处，测试位于(0001)面与(11-20)面或(0001)面与(1-100)面之间衍射面衍射角的位置，在磨平的平面内旋转晶体，不断测试调整晶体表面的衍射方向，直至测得的衍射角与偏向后的理论值一致，实现对偏向SiC晶体大边、小边的精确定向。

2.根据权利要求1所述的偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法，其特征在于，所述的定向方法包括步骤如下：

(1)将偏向SiC晶体的籽晶面、原生面进行磨平面处理，获得上下表面都平整的SiC晶体；

(2)在磨平面的上表面内，用游标卡尺找到晶体的中心点，标记为O；观察籽晶面找出生长大边点标记为点C；过晶体中心点O与生长大边点C作直线，直线与晶体周边弧线的交点为A，A为生长大边对面点；过晶体中心点O作直线AC的垂线，垂线与晶体周边弧线的交点标记为B、D；

(3)当步骤(1)中的偏向SiC晶体偏<11-20>方向时，选取(11-2n)作为衍射面，将X射线定向仪的探测器位置固定在该衍射面发生布拉格衍射位置处，分别测试BO方向和DO方向的衍射角，作BO的垂线M₁N₁，并分别测试M₁O，N₁O方向的衍射角度；若M₁O方向的衍射角度比BO方向的衍射角度更接近偏向后的理论值，则真正的小边点或小边对面点位于弧AB段；若N₁O方向的衍射角度比BO方向的衍射角度更接近偏向后的理论值，则真正的小边点或小边对面点位于弧BC段；

当步骤(1)中的偏向SiC晶体偏<1-100>方向时，选取(1-10n)作为衍射面，将X射线定向仪的探测器位置固定在该衍射面发生布拉格衍射位置处，分别测试AO方向和CO方向的衍射角，作CO的垂线M₁N₁，分别测试M₁O，N₁O方向的衍射角度；若M₁O方向的衍射角度比CO方向的衍射角度更接近偏向后的理论值，则真正的大边点位于弧DC段；若N₁O方向的衍射角度比CO方向的衍射角度更接近偏向后的理论值，则真正的大边点位于弧BC段；

(4)在步骤(3)确定弧段的基础上，进一步在弧段对应的直线M₁N₁上作点M₂，M₃，……或者N₂，N₃，……，分别测试M₂O、M₃O……方向的衍射角或者N₂O、N₃O……方向的衍射角，直至M_iO方向或N_iO方向测试的衍射角与偏向后的理论值相符，确定点M_i或N_i；

(5)当步骤(1)中的偏向SiC晶体偏<11-20>方向时，将步骤(4)中确定的M_i或N_i点与圆心O相连，并延长M_iO或N_iO至弧线AB或BC的交点为点B’；延长B’O至与晶体周边弧线相交于点D’；过O点作D’B’的垂线，垂线与晶体周边弧线的交点为点A’、点C’，点A’为大边对面点，点C’为大边点，确定晶体大边、小边；

当步骤(1)中的偏向SiC晶体偏<1-100>方向时，将步骤(4)中确定的M_i或N_i点与圆心O相连，并延长M_iO或N_iO至弧线DC或BC的交点为点C’，C’是大边点；延长C’O至与晶体周边弧线相交于点A’，点A’为大边对面点；过O点作A’C’的垂线，垂线与晶体周边弧线的交点为点B’、点D’，确定晶体大边、小边；

(6)将X射线定向仪的探测器固定在(000Y)面发生布拉格衍射位置处，分别测试A’O、B’O、C’O、D’O方向的衍射角，若衍射角值与偏向后的理论值相同，则说明大边、小边定向准确；若衍射角值与偏向后的理论值存在差异值，且差异值大于允许误差范围，则说明步骤(4)中的M_i或N_i点的位置不准确，需重复步骤(4)直至找到最优的M_i或N_i点，然后再进行步骤(5)、(6)的操作。