[发明专利]一种适用于氨气输送的管道及其制备方法在审
申请号: | 201710278475.0 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN107191688A | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 何祥炎;孙国政;周万波 | 申请(专利权)人: | 安徽索立德铸业有限公司 |
主分类号: | F16L9/14 | 分类号: | F16L9/14;F16L58/04;F16L59/02;C22C38/04;C22C38/02;C22C38/46;C22C38/52;C22C38/50;C23C14/24 |
代理公司: | 安徽信拓律师事务所34117 | 代理人: | 娄尔玉 |
地址: | 238200 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 氨气 输送 管道 及其 制备 方法 | ||
1.一种适用于氨气输送的管道,所述管道由管道本体,涂覆在管道本体内壁上的防护层,蒸镀在管道本体外壁上的保温层构成。
所述管道本体由以下重量份百分比元素组成:碳0.18%-0.20%,锰0.05%-0.08%,硅0.04%-0.06%,镉0.04%-0.07%,钒0.06%-0.08%,铬0.03%-0.06%,锌0.03%-0.05%,镍0.03%-0.06%,钛0.04%-0.08%,钴0.05%-0.09%,余量为铁;
所述防护层由以下重量份的原料配制而成:氯化聚氯乙烯30-40份,聚邻苯二甲酰胺25-30份,醋酸纤维塑料20-25份,乙烯-四氟乙烯共聚物15-20份,聚芳酯12-18份;
所述保温层为半导体层。
2.如权利要求1所述的一种适用于氨气输送的管道,其特征在于:所述半导体层为碳化硅、氮化镓、硅中的一种或者他们的组合物。
3.如权利要求1所述的一种适用于氨气输送的管道,其特征在于:所述管道本体、防护层、保温层厚度比为(20-30)∶2∶3。
4.一种适用于氨气输送的管道的制备方法,包括以下步骤:a.按照各原料配比混合均匀,熔融成形制备管道本体;b.在管道本体内壁上涂覆防护层;c.在管道本体外壁上蒸镀保温层。
5.如权利要求4所述的一种适用于氨气输送的管道的制备方法,其特征在于:在将防护层涂覆在管道本体内壁上、保温层蒸镀在管道本体外壁之前对管道表面进行打磨抛光处理。
6.如权利要求4所述的一种适用于氨气输送的管道的制备方法,其特征在于:所述防护层通过粘接剂涂覆在管道本体内壁上。
7.如权利要求4所述的一种适用于氨气输送的管道的制备方法,其特征在于:所述保温层是在氮气作为保护性气氛条件下蒸镀在管道本体外壁上。
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