[发明专利]一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法

权利要求书

1.一种用于高压陶瓷的半导体釉，其特征在于，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：

氧化镁17-28份，碳酸钡15-25份，氧化钴9-12份，石英5-7份，氧化铝粉12-15份，石灰5-8份，蛭石8-10份，膨润土12-15份，粉末状二氧化钛17-28份，珍珠岩15-25份，氧化铁9-12份，白釉基料20-25份，光泽剂8-10份，防腐蚀剂5-7份。

2.如权利要求1所述的一种用于高压陶瓷的半导体釉，其特征在于，所述白釉基料由以下重量份的原料组成：

钾长石3-7份，氧化锌5-9份，新会粉8-15份，水洗高岭土4-9份，星子高岭土5-8份，滑石8-15份，石灰石4-7份，硅酸锆2-6份。

3.如权利要求1所述的一种用于高压陶瓷的半导体釉，其特征在于，所述光泽剂由以下重量份的原料组成：

硫酸锌3-7份，碳酸钠2-5份，钛白粉1-3份，丙炔醇4-7份，丁炔二醇2-6份，吡啶嗡盐3-5份。

4.如权利要求1所述的一种用于高压陶瓷的半导体釉，其特征在于，所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成：

羟基乙叉二膦酸2-3份，羟基乙叉二膦酸钠3-5份，聚丙烯酸2-6份，亚硝酸盐6-8份。

5.一种用于高压陶瓷的半导体釉制备方法，包括以下步骤：

(1)称取配方比的各组分，混合均匀，得混合料；

(2)将混合料过60～80目筛后，在900～1000℃下熔炼1.5～2小时，接着在1300～1500℃下，熔炼1～2小时，然后水淬，得到块状釉料；

(3)将块状釉料经湿法球磨后，过筛除杂得到釉浆，将釉浆施于坯体表面，干燥至釉浆中的水分小于1％后，分别在1000～1100℃和1200～1250℃下交替烧制2～3次，每次烧制时间为20～30分钟，冷却后，得到陶瓷釉料。