[发明专利]一种带电能回收的变频器在审
申请号: | 201710276959.1 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN106953360A | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 吴庆瑞 | 申请(专利权)人: | 石狮市酷瑞电气有限责任公司 |
主分类号: | H02J3/38 | 分类号: | H02J3/38;H02M5/458;H05K7/20 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 362700 福建省泉州市石*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电能 回收 变频器 | ||
技术领域
本发明涉及一种带电能回收的变频器。
背景技术
变频器是应用变频技术与微电子技术,通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备,随着工业自动化程度的不断提高,变频器也得到了非常广泛的应用。三相输入经整流桥整流后经存储在存储模块中,但当存储模块处的电压值过大时,往往会造成电能的浪费,无法充分利用。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种带电能回收的变频器,通过电压检测以及对整流逆变桥的控制实现了对多余电能的回收。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种带电能回收的变频器,其特征在于:包括依次连接的三相整流逆变桥、交流接触器、储能模块、三相逆变桥,所述三相整流逆变桥、三相逆变桥皆由IGBT管组成;所述储能模块上设置有电压检测单元用于检测三相输入经三相整流逆变桥整流后的电压值;还包括第一CPU分别与所述电压检测单元、三相整流逆变桥连接,当第一CPU接收到由电压检测单元输送的电压值小于预先设定的阈值时,第一CPU向三相整流逆变桥输出PWM信号使其对三相输入进行整流;当第一CPU接收到由电压检测单元输送的电压值大于预先设定的阈值时,第一CPU向三相整流逆变桥输出正弦信号使其对储能模块的电流进行逆变回送至三相电网。
进一步的,所述阈值为720V。
进一步的,还包括第二CPU,所述第二CPU与三相逆变桥连接,向三相逆变桥输送PWM信号控制IGBT管的开关。
进一步的,还包括用于容纳上述模块的机柜,所述机柜的后板为散热基板,所述散热基板上设置有若干散热片,沿着散热片方向的一侧设置有风扇;所述散热基板内预埋有散热管道,所述散热管道延伸至散热基板外形成回路且位于散热基板外的散热管道上设置有循环泵和冷却器。
进一步的,所述第二CPU分别与风扇、循环泵、冷却器和设置在散热基板上的温度采集器连接,所述第二CPU根据温度采集器采集到的温度对风扇、循环泵、冷却器进行控制,具体如下:当温度达到35℃时,第二CPU仅控制风扇开启;当温度达到45℃时,第二CPU仅控制循环泵和冷却器开启;当温度达到60℃时,第二CPU控制风扇、循环泵、冷却器同时开启。
进一步的,所述第一CPU和第二CPU采用TM320F28034PNT。
本发明与现有技术相比具有以下有益效果:本发明通过电压检测单元检测存储模块的电压,与预先设置的阈值相比较,若大于阈值,则控制CPU输出正弦信号使整流逆变桥对多余的电能进行逆变处理回传至三相电网,实现了对多余电能的回收;另外,本发明还采用了水冷结合风冷的散热方式,散热效果更佳。
附图说明
图1是本发明的电路原理图。
图2是本发明一实施例的具体变频电路图。
图3是本发明一实施例的结构俯视图。
图4是图3的A-A剖视图。
图中:1-机柜;2-散热基板;21-散热片;22-风扇;3-散热管道;31-冷却器;32-循环泵。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明做进一步说明。
请参照图1,本发明提供一种带电能回收的变频器,其特征在于:包括依次连接的三相整流逆变桥、交流接触器、储能模块、三相逆变桥,所述三相整流逆变桥、三相逆变桥皆由IGBT管组成;所述储能模块上设置有电压检测单元用于检测三相输入经三相整流逆变桥整流后的电压值;还包括第一CPU分别与所述电压检测单元、三相整流逆变桥连接,当第一CPU接收到由电压检测单元输送的电压值小于预先设定的阈值时,第一CPU向三相整流逆变桥输出PWM信号使其对三相输入进行整流;当第一CPU接收到由电压检测单元输送的电压值大于预先设定的阈值时,第一CPU向三相整流逆变桥输出正弦信号使其对储能模块的电流进行逆变回送至三相电网。还包括第二CPU,所述第二CPU与三相逆变桥连接,向三相逆变桥输送PWM信号控制IGBT管的开关。优选的,所述阈值为720V DC;所述第一CPU和第二CPU采用TM320F28034PNT。
具体的,请参照图2,所述三相整流逆变桥包括IGBT管Q1至Q6;所述交流接触器为K1及与之并联的启动电阻R1;所述储能模块为串联的电容器C1、C2;所述三相逆变桥包括IGBT管Q7至Q12。三相整流逆变桥中IGBT管Q1至Q6的门极由第一CPU进行控制,三相逆变桥中IGBT管Q7至Q12的门极由第二CPU进行控制。
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