[发明专利]增强源极/漏极区的表面掺杂浓度的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包含：

提供用于集成电路的衬底；

在该衬底的表面上形成用于半导体装置的n型及p型S/D区；

单独暴露该n型及p型S/D区中的一种的顶面；

在该n型及p型S/D区中的该一种的该顶面上面沉积扩散层，该扩散层具有预定浓度的第一扩散物种；

加热该扩散层以使该第一扩散物种扩散进入该n型及p型S/D区中的该一种以增强该第一扩散物种紧邻该n型及p型S/D区中的该一种的该顶面的浓度；

从该n型及p型S/D区中的该一种的该顶面移除该扩散层；

在移除该扩散层后，立即在该n型及p型S/D区中的该一种的该顶面上面沉积金属层；

从该金属层形成电接触在该n型及p型S/D区中的该一种的该顶面上面；

沉积电介质遮蔽层于该n型及p型S/D区中的该一种上面；

单独暴露该n型及p型S/D区中的另一种的顶面；

沉积第二扩散层于该n型及p型S/D区中的该另一种的该顶面上面，该第二扩散层具有预定浓度的第二扩散物种；以及

加热该第二扩散层以使该第二扩散物种扩散进入该n型及p型S/D区中的该另一种以增强该第二扩散物种紧邻该n型及p型S/D区中的该另一种的该顶面的浓度。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该金属层经选定成减少该n型及p型S/D区中的该一种的萧特基阻障高度。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该第一和第二扩散物种为合金元素、n型掺杂物及p型掺杂物中的一者。

4.如权利要求1所述的方法，包含：

加热该金属层以在该n型及p型S/D区中的该一种的该顶面上面形成硅化物；以及

使用该硅化物在该半导体装置与该集成电路的互连系统之间形成电接触。

5.如权利要求1所述的方法，其中，加热该扩散层包含：

以在摄氏800至1300度的温度范围内的温度加热该扩散层；

使该温度保持在该温度范围内持续100毫秒至5分钟的一段时间；以及

使该第一扩散物种扩散进入该n型及p型S/D区中的该一种以增强该第一扩散物种在该n型及p型S/D区中的该一种的该顶面的20纳米内的浓度。

6.如权利要求5所述的方法，包含：使该第一扩散物种扩散进入该n型及p型S/D区中的该一种以增强该第一扩散物种在该n型及p型S/D区中的该一种的该顶面的10纳米内的浓度。

7.一种制造半导体装置的方法，该方法包含：

提供用于集成电路的衬底；

在该衬底的表面上形成用于多个半导体装置的多个n型及p型S/D区；

单独暴露该n型及p型S/D区中的一种的顶面；

沉积扩散层于该n型及p型S/D区中的该一种的所述顶面上面，该扩散层具有预定浓度的第一扩散物种；

加热该扩散层以使该第一扩散物种扩散进入该n型及p型S/D区中的该一种以增强该第一扩散物种紧邻该n型及p型S/D区中的该一种的所述顶面的浓度；

从该n型及p型S/D区中的该一种的所述顶面移除该扩散层；

在移除该扩散层后，立即在该n型及p型S/D区中的该一种的所述顶面上面沉积金属层；

从该金属层形成电接触在该n型及p型S/D区中的该一种的所述顶面上面；

沉积电介质遮蔽层于该n型及p型S/D区中的该一种上面；

单独暴露该n型及p型S/D区中的另一种的顶面；

沉积第二扩散层于该n型及p型S/D区中的该另一种的所述顶面上面，该第二扩散层具有预定浓度的第二扩散物种；以及

加热该第二扩散层以使该第二扩散物种扩散进入该n型及p型S/D区中的该另一种以增强该第二扩散物种紧邻该n型及p型S/D区中的该另一种的所述顶面的浓度。