[发明专利]具有垂直结构的SnSe2 有效
| 申请号： | 201710276280.2 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107424911B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 商继敏;陈鹏;吴杰;冯学超;杨阳;李强;杨坤 | 申请（专利权）人： | 郑州轻工业学院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 张绍琳;张志军 |
| 地址： | 450002 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 结构 snse base sub | ||
1.一种具有垂直结构的SnSe2/MoSe2范德瓦尔斯异质结进行场效应性能的改性方法，其特征在于步骤如下：将制得的具有垂直结构的SnSe2/MoSe2范德瓦尔斯异质结进行退火处理，退火温度为150℃，退火时间为12h～16h；与未经退火处理的异质结比较：异质结电子迁移率提高到11.8 cm2V-1s-1，提高102倍；开关比提高到1.0×106，提高105倍；转移电流Isd提高102倍；
所述SnSe2/MoSe2范德瓦尔斯异质结的制备方法如下：
（1）采用机械剥离法从SnSe2 体材料得到少层SnSe2纳米材料，转移到SiO2/Si衬底上，制得少层SnSe2/SiO2/Si纳米材料；采用机械剥离法从MoSe2 体材料得到少层MoSe2纳米材料，转移到Si衬底上，制得少层MoSe2/Si纳米材料；
（2）将步骤（1）制得的少层SnSe2/SiO2/Si纳米材料放置在匀胶台上，采用旋转涂抹PMMA溶液的方法，在转速为3000r/s的条件下匀速旋转匀胶台，直到匀胶台上面滴下的PMMA溶液完全包裹住SnSe2/SiO2/Si纳米材料，然后烘干制备得到样品PMMA/SnSe2/SiO2/Si；
（3）将步骤（2）烘干得到的样品PMMA/SnSe2/SiO2/Si放入氢氧化钠溶液中溶解得到PMMA/SnSe2二维材料；
（4）将步骤（3）制备得到的PMMA/SnSe2二维材料和步骤（1）制备得到的少层MoSe2/Si纳米材料在显微镜下缓慢移动，垂直对准，将PMMA/SnSe2二维材料叠加在少层MoSe2/Si纳米材料上方，制备得到具有垂直结构的二维材料PMMA/SnSe2/MoSe2 /Si；
（5）将步骤（4）制备得到的具有垂直结构的二维材料PMMA/SnSe2/MoSe2 /Si置于丙酮溶液中溶解洗涤2小时，取出自然晾干，在Si衬底上得到具有垂直结构的SnSe2/MoSe2范德瓦尔斯异质结；
所述步骤（3）中氢氧化钠溶液的浓度为2mol/L，氢氧化钠溶液的温度50℃；
所述步骤（2）中的烘干是在110℃烘干1~2h。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
