[发明专利]一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法

权利要求书

1.一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法，其特征在于，包括以下步骤：

SO1：将参数相同的掩模版标记为第一掩模版、第二掩模版……第N掩模版，上述掩模版在光刻过程中分别对应第一光刻层、第二光刻层……第N光刻层；所述参数相同的掩模版同时满足类型相同、规格相同和制作掩模版的基版为同一批次三个条件；

SO2：根据技术平台中的经验值确定上述第一掩模版、第二掩模版……第N掩模版的基准工艺条件中离焦量为F_1BSL+/-F_1BSLWnm、F_2BSL+/-F_2BSLWnm……F_NBSL+/-F_NBSLWnm；曝光量为E_1BSL+/-E_1BSLWmJ·cm^-2、E_2BSL+/-E_2BSLWmJ·cm^-2……E_NBSL+/-E_NBSLWmJ·cm^-2；

SO3：对第一掩模版对应的第一光刻层做焦距-能量矩阵，确定最佳工艺条件中离焦量为F_1EXPnm、曝光量E_1EXPmJ·cm^-2；

SO4：计算第一掩模版的最佳工艺条件偏离基准工艺条件的比率M，所述比率M分为离焦量比率M₁和曝光量比率M₂，并判断该比率是否超过设定的阈值，若M₁或M₂等于或大于设定的阈值，将第一掩模版送检调查，经过修正之后重复SO3步骤，若M₁和M₂同时小于设定的阈值，开始SO5步骤；其中，所述离焦量比率M₁＝(F_1EXP-F_1BSL)/F_1BSLW且M₁的取值范围为10-60％；所述曝光量比率M₂＝(E_1EXP-E_1BSL)/E_1BSLW且M₂的取值范围为8-60％；

SO5：根据上述比率和第二掩模版的基准工艺条件确定第二掩模版的最佳工艺条件，F_2EXP＝F_2BSL+F_2BSLW·M₁nm,E_2EXP＝E_2BSL+E_2BSLW·M₂mJ·cm^-2；其中，F_2EXP为第二掩模版最佳工艺条件中离焦量；E_2EXP为第二掩模版最佳工艺条件中曝光量；

SO6：以此类推，根据上述比率M和第N掩模版的基准工艺条件确定第N掩模版的最佳工艺条件，F_NEXP＝F_NBSL+F_NBSLW·M₁nm,E_NEXP＝E_NBSL+E_NBSLW·M₂mJ·cm^-2；其中，F_NEXP为第N掩模版最佳工艺条件中离焦量；E_NEXP为第N掩模版最佳工艺条件中曝光量。

2.根据权利要求1所述的一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法，其特征在于，所述类型为双极型掩模版、相转移掩模版、交替相移掩模版中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法，其特征在于，所述规格包括测量图形类型、线宽允许的最大缺陷和放大或缩小的倍率和平整度。

4.根据权利要求1所述的一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法，其特征在于，所述制作掩模版的基版为在石英衬底上沉积Cr或MoSi的基版。

5.根据权利要求1所述的一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法，其特征在于，在SO3步骤中，还可以对第一掩模版对应的第一光刻层做小批量的试生产，确定最佳工艺条件为F_1EXPnm、曝光量E_1EXPmJ·cm^-2。