[发明专利]显示设备在审
| 申请号： | 201710274825.6 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108735913A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 周书绮;蔡奇哲;林柏青 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一基板 第二基板 显示面板 显示设备 间隙体 硅烷化合物 间隙体系 下表面 外围 包围 | ||
1.一种显示设备，包括：
一第一基板；
一第二基板，与该第一基板对应设置；
一间隙体，设置于该第一基板与该第二基板之间并对应于该第一基板与该第二基板的外围；
一硅烷化合物，至少设置于该间隙体与该第一基板之间并接触该第一基板的下表面；以及
一显示面板单元，设置于该第二基板上方，其中该间隙体包围该显示面板单元。
2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一基板和该第二基板沿一第一方向对应设置，该间隙体于该第一方向上具有一第一厚度，该硅烷化合物在该间隙体与该第一基板之间于该第一方向上具有一第二厚度，该第二厚度小于该第一厚度。
3.如权利要求2所述的显示设备，其特征在于，该第二厚度小于1微米。
4.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一基板更包括一第一缓冲层，该硅烷化合物与该第一缓冲层接触。
5.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第二基板更包括一第二缓冲层，该间隙体的下表面设置于该第二缓冲层上。
6.如权利要求5所述的显示设备，其特征在于，该硅烷化合物更设置于该间隙体的侧壁并接触该第二缓冲层。
7.如权利要求5所述的显示设备，其特征在于，该第一缓冲层或该第二缓冲层为多层结构。
8.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该显示面板单元包括一薄膜晶体管组件设置于该第二基板上方，以及一显示单元设置于该薄膜晶体管组件上方。
9.如权利要求8所述的显示设备，其特征在于，该间隙体的材料与部分该薄膜晶体管组件的材料相同。
10.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该硅烷化合物为硅氧烷耦合剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
