[发明专利]一种中空二硫化钼/三氧化钼花球状异质结构纳米材料、制备方法及应用有效
| 申请号： | 201710274412.8 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107159268B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张佳楠;孙健;薛晓艺;尚佩;许群 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | B01J27/051 | 分类号： | B01J27/051;B01J35/08;B01J37/08;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 41104 郑州联科专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 时立新;杨海霞 |
| 地址： | 450001 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 中空 二硫化钼 氧化钼 球状 结构 纳米 材料 制备 方法 应用 | ||
1.一种直接作为光催化和电催化析氢催化剂的中空1T-MoS2/ MoO3花球状异质结构纳米材料，其特征在于，经下述步骤制备获得：
1）将四硫代钼酸铵、脲和水合肼分散于N,N-二甲基甲酰胺中以形成均质溶液；
2）将步骤1）所得溶液移入反应釜，于160－240℃反应8－10h；
3）反应结束后，自然冷却至室温，固液分离，沉淀经洗涤、干燥即得中空MoS2/MoO3花球状异质结构纳米材料；
步骤1）中，四硫代钼酸铵和脲的质量比为1：1－1.5；每22mg的四硫代钼酸铵添加0.05－0.2ml的水合肼；
该中空MoS2/MoO3花球状异质结构纳米材料的1T-MoS2主体中存在一定量的MoO3，掺杂MoO3的MoS2材料使MoS2获得更多的活性位点，进而提高材料的催化性能。
2.如权利要求1所述直接作为光催化和电催化析氢催化剂的中空1T-MoS2/ MoO3花球状异质结构纳米材料，其特征在于，步骤2）中反应时，反应温度为200℃，反应时间为10h。
3.如权利要求1所述直接作为光催化和电催化析氢催化剂的中空1T-MoS2/ MoO3花球状异质结构纳米材料，其特征在于，步骤3）中，固液分离选用离心分离，离心转速为9000－10000 rpm、离心时间为5－10 min。
4.权利要求1所述直接作为光催化和电催化析氢催化剂的中空1T-MoS2/ MoO3花球状异质结构纳米材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）将四硫代钼酸铵、脲和水合肼分散于N,N-二甲基甲酰胺中以形成均质溶液；
2）将步骤1）所得溶液移入反应釜，于160－240℃反应8－10h；
3）反应结束后，自然冷却至室温，固液分离，沉淀经洗涤、干燥即得中空MoS2/MoO3花球状异质结构纳米材料。
5.权利要求1所述直接作为光催化和电催化析氢催化剂的中空1T-MoS2/ MoO3花球状异质结构纳米材料在提高催化剂析氢性能方面的应用。
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