[发明专利]一种离子注入终端装置

说明书

本发明公开了一种离子注入终端装置，包括：靶室主腔体、旋转靶台、过渡腔体、移动屏蔽筒、多工位旋转把盘，所述靶室主腔体能够为旋转靶台提供支撑，能够为整个系统提供真空的条件；所述旋转靶台能够实现靶片的角度注入及轴线旋转注入；所述过渡腔体能够为移动屏蔽筒提供支撑；所述移动屏蔽筒能够实现过扫板及屏蔽筒的垂直方向运动，能够对位置进行精确控制；所述多工位旋转把盘能够实现不同工位的切换。本发明涉及离子注入装置，隶属于半导体制造领域。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件制造设备，即离子注入机，特别是一种离子注入终端装置，属半导体设备领域。

背景技术

随着集成电路工艺技术的提高，对离子注入设备提出了更高的要求，离子注入元素的种类更多，离子注入设备的应用范围更广，其可应用于各种材料改性、半导体器件制造以及大功率器件如SiC电子器件制造等领域，并要求离子注入设备自动化程度较高，操作简单方便，工作稳定。

现有的离子注入靶台系统不能满足大角度注入、高均匀性注入及持续稳定工作的要求，存在设备成本高、注入工艺局限、靶台系统运动不稳定等缺点，需要一种离子注入终端装置既能满足成本低，又能保证多自由度运动平稳的要求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，针对现有离子注入机靶台系统成本高，运动控制不稳定，注入工艺菜单少等问题，提供了一种离子注入终端装置，能够实现多角度注入、靶盘旋转运动、多工位不同注入样式、冷却效率高等。

为解决多角度注入及高均匀性注入，一种离子注入终端装置，包括靶室主腔体(1)、旋转靶台(2)、过渡腔体(3)、移动屏蔽筒(4)、多工位旋转把盘(5)，其主要通过靶室主腔体提供支撑和真空条件，通过旋转靶台提供不同角度工艺注入，通过移动屏蔽筒实现不同角度注入时的过扫检测与二次电子抑制，能够实现多工位、大角度注入满足不同注入工艺需求。

所述靶室主腔体(1)能够为旋转靶台提供支撑，能够为整个注入终端系统提供真空的条件，能够实时观察束流形状及束流检测，便于整机调试。

所述旋转靶台(2)采用多自由度设计，每个自由度真空密封均采用旋转磁流体，能够实现不同角度注入、不同工位条件注入，并且该靶台上设计有法拉第采集器，能够校准束流到靶中心位置及束流形状。

所述过渡腔体(3)主要是为移动屏蔽筒提供支撑，实现与注入前系统的连接。

所述移动屏蔽筒(4)主要包括过扫板、靶前抑制电极、屏蔽筒等组成，可满足不同角度注入时的靶前电子抑制及过扫范围的检测。

所述多工位旋转把盘(5)能够实现不同注入工位间的切换，注入工位的定位精度高，操作方便。

与现有技术相比，本发明所具有的有益效果为：本发明结构紧凑，成本低廉；能够实现多工位、不同角度、高均匀性注入，能够满足多种注入工艺要求。

附图说明

图1为本发明一实施例注入终端装置结构示意图；

图2为本发明一实施例旋转靶台结构示意图；

图3为本发明一实施例旋转靶盘结构示意图；

图4为本发明一实施例移动屏蔽筒结构示意图；

具体实施方式