[发明专利]存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

在衬底上形成的从衬底向上延伸的多个柱状有源区；以及

在衬底上从下向上依次排列、彼此隔开且分别围绕各柱状有源区的多层栅电极层，其中各栅电极层介由存储栅介质叠层面对各柱状有源区，

其中，柱状有源区中包括源/漏区，源/漏区的掺杂浓度高于有源区中其余部分处的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，源/漏区呈环状。

3.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

位于各栅电极层之间的掺杂剂源层。

4.根据权利要求3所述的存储器件，还包括：位于各栅电极层与各掺杂剂源层之间的扩散阻挡层。

5.根据权利要求3所述的存储器件，其中，每一掺杂剂源层包括围绕各柱状有源区的环状的第一部分以及各个第一部分之间的第二部分。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，第一部分包括n型掺杂的磷硅玻璃或砷硅玻璃，或者p型掺杂的硼硅玻璃，其中所含的掺杂剂的浓度为0.01％-10％。

7.根据权利要求5所述的存储器件，其中，第二部分包括掺硼的氧化物。

8.根据权利要求3所述的存储器件，其中，源/漏区的至少一部分相对于柱状有源区中的其余部分向外突出。

9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，栅电极层包括金属。

10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，柱状有源区中的半导体材料是同质的。

11.根据权利要求1所述的存储器件，其中，柱状有源区是中空的，其中填充有电介质。

12.根据权利要求1所述的存储器件，其中，存储栅介质叠层包括依次叠置的第一栅介质层、电荷俘获层和第二栅介质层。

13.一种制造存储器件的方法，包括：

在衬底上设置第一材料层和栅电极层的交替堆叠；

在所述堆叠中形成若干孔；

在第一材料层在孔中露出的侧壁上形成掩模层；

在孔的内壁上形成存储栅介质叠层；

向孔中填充半导体材料，并进行回蚀，使半导体材料留于掩模层之间；

以留下的半导体材料为掩模，选择性刻蚀存储栅介质叠层；

去除掩模层，露出第一材料层的侧壁，并经由孔选择性刻蚀第一材料层，使第一材料层的侧壁回缩；

在由于第一材料层的侧壁回缩而得到的空间中形成掺杂剂源层；

向孔中填充半导体材料，并进行热处理，以从掺杂剂源层中向半导体材料中驱入掺杂剂；源自掺杂剂源层的掺杂剂在有源区中形成预定的分布，得到重掺杂的掺杂区，该重掺杂的掺杂区用作源/漏区，该源/漏区的掺杂浓度高于有源区中其余部分处的掺杂浓度。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成掩模层包括：

在孔的内壁形成多晶硅层；

进行热处理，从第一材料层中向多晶硅层中驱入杂质；以及

相对于多晶硅层中被驱入有杂质的部分，选择性刻蚀多晶硅层中未被驱入杂质的部分。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，栅电极层是牺牲栅电极层，该方法还包括：

选择性去除牺牲栅电极层；以及

在由于牺牲栅电极层的去除而得到的空间中形成替代栅电极层。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，沿孔的内壁形成中空的半导体材料，该方法还包括：向中空的半导体材料内侧填充电介质层。