[发明专利]二维有序的金和ITO复合纳米阵列及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710272663.2 申请日: 2017-04-24
公开(公告)号: CN107089642A 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 张龙;白正元;陶桂菊 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: B82B1/00 分类号: B82B1/00;B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31317 代理人: 张宁展
地址: 201800 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 二维 有序 ito 复合 纳米 阵列 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种二维有序的金和ITO复合纳米阵列,其特征在于,它是由多个空心ITO纳米半球壳及附着在各个ITO纳米半球壳正上方的金纳米颗粒按照六角密排结构有序排布而成的复合纳米结构。

2.权利要求1所述的二维有序的金和ITO复合纳米阵列的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:

1)取方形的沉积片依次在去离子水、丙酮、酒精、去离子水中分别超声清洗30min,用作沉积基片;

2)将浓度为2.5wt%的单分散聚苯乙烯纳米球水溶液与乙醇按体积比1:2~1:3的比例混合并超声30分钟,得到均匀分散的聚苯乙烯纳米球混合溶液,所述的聚苯乙烯纳米球的直径为300~1000nm;

3)将50~150μL的聚苯乙烯纳米球混合溶液旋涂在所述的沉积基片表面,其中旋涂速度为2000r/min,时间为30s,随后待其在室温环境下干燥后,得到聚苯乙烯纳米球单层六角密排结构模板;

4)在所述的聚苯乙烯纳米球单层六角密排结构模板上首先沉积一层厚度为20~50nm的ITO纳米薄膜,再沉积一层厚度为10~30nm的金纳米薄膜,随后放置在电阻炉中进行高温退火处理,退火温度为500~900℃,保温时间大于30min,自然冷却后,得到二维有序的金和ITO复合纳米阵列。

3.按照权利要求2所述的方法,其特征在于所述的沉积基片为石英片、硅片、或蓝宝石片。

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