[发明专利]一种外延炉硅片基座在审
| 申请号： | 201710272642.0 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108728898A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘源;季文明 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基座底盘 硅片 导热 硅片边缘 外延炉 边缘部位 边缘位置 底盘边缘 调整基座 独立加工 工艺窗口 实验条件 突起区域 外延沉积 外延生长 最小二乘 晶向 整块 | ||
【权利要求书】：
1.一种外延炉硅片基座，其特征在于，包括：
基座底盘，用于承载硅片；
所述基座底盘底部最大外径处设有四个等距分布的“T”形槽，所述“T”形槽内均设有与之形状相匹配的导热块。
2.如权利要求1所述的一种外延炉硅片基座，其特征在于，所述“T”形槽的开槽沿所述基座底盘的径向方向开设。
3.如权利要求1所述的一种外延炉硅片基座，其特征在于，所述基座底盘上表面设有同心的圆形阶梯槽。
4.如权利要求1所述的一种外延炉硅片基座，其特征在于，所述导热块与所述“T”形槽可拆卸连接。
5.如权利要求4所述的一种外延炉硅片基座，其特征在于，所述导热块插入所述“T”形槽内且能够在所述“T”形槽内滑动。
6.如权利要求5所述的一种外延炉硅片基座，其特征在于，各个所述导热块插入到相应的所述“T”形槽内的深度均一致。
7.如权利要求6所述的一种外延炉硅片基座，其特征在于，所述导热块远离所述基座底盘的一侧设有导热凸台。
8.如权利要求7所述的一种外延炉硅片基座，其特征在于，所述导热凸台设置于所述导热块远离所述基座底盘边缘的一端。
9.如权利要求8所述的一种外延炉硅片基座，其特征在于，所述导热凸台的横截面形状为半圆形或者矩形。
10.如权利要求1所述的一种外延炉硅片基座，其特征在于，所述基座底盘和所述导热块的材料为碳化硅涂层的石墨或者碳纤维。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710272642.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
