[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体基板，包括主芯片区域及与所述主芯片区域相邻的划线通道区域，所述划线通道区域包括与所述主芯片区域相邻的第一区及与所述第一区相邻的第二区；

绝缘层，安置在所述半导体基板上；

第一压印结构，在所述绝缘层的与所述划线通道区域的所述第一区对应的第一区域中安置在所述绝缘层的第一表面上；

第二压印结构，在所述绝缘层的与所述划线通道区域的所述第二区对应的第二区域中安置在所述绝缘层的所述第一表面上；以及

挡坝结构，在与所述第一压印结构对应的位置处设置在所述绝缘层的所述第一区域中，所述挡坝结构在和所述绝缘层的与所述半导体基板相邻的第二表面所垂直的方向上延伸，

其中所述挡坝结构中的至少一个挡坝结构在所述绝缘层的厚度方向上与对应的第一压印结构间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每一个挡坝结构均设置在对应的第一压印结构正下方的位置处。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一压印结构中的每一个均具有第一形状，所述第二压印结构中的每一个均具有第二形状，且所述第一形状与所述第二形状不同。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，每一个所述第一压印结构均具有条形状，所述第二压印结构中的每一个均具有点形状，且所述第一压印结构比所述第二压印结构大。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述挡坝结构包括：

第一挡坝结构，从所述第二表面延伸到所述第一压印结构；以及

第二挡坝结构，从所述绝缘层的所述第二表面延伸并在所述绝缘层的所述厚度方向上与所述第一压印结构间隔开。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第一挡坝结构中的每一个包括：

至少一个虚拟配线层，在与所述绝缘层的所述第二表面平行的方向上延伸；

至少一个虚拟通孔，从所述至少一个虚拟配线层延伸到对应的第一压印结构；以及

虚拟通孔触点，从所述绝缘层的所述第二表面延伸到所述虚拟配线层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一个虚拟配线层包括在与所述绝缘层的所述第二表面平行的所述方向上延伸的第一虚拟配线层及第二虚拟配线层，且

其中所述至少一个虚拟通孔包括：

第一虚拟通孔，连接所述第一虚拟配线层到所述第二虚拟配线层；以及

第二虚拟通孔，连接所述第二虚拟配线层到对应的第一压印结构。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括排列在所述挡坝结构与所述主芯片区域之间的至少一个保护环结构，所述保护环结构包括：

至少一个虚拟配线层，在与所述绝缘层的所述第二表面平行的方向上延伸；

至少一个虚拟通孔，从所述至少一个虚拟配线层延伸到对应的第一压印结构；以及

虚拟通孔触点，从所述绝缘层的所述第二表面延伸到所述虚拟配线层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在相邻的第一压印结构之间及相邻的第二压印结构之间在所述绝缘层的所述第一表面中设置有多个沟槽。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一压印结构及所述第二压印结构被排列成与所述主芯片区域的侧边缘平行的行。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第二压印结构被排列成矩阵，且

排列在第一行中的第一压印结构在所述第一行及第二行的方向上与排列在所述第二行中的第一压印结构偏置。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，排列在第一行中的第二压印结构在所述第一行及第二行的方向上与排列在所述第二行中的第二压印结构偏置。