[发明专利]一种电磁斥力操作机构储能和触发回路及控制方法

权利要求书

1.一种电磁斥力操作机构储能和触发回路，包括至少一个回路单元，每个回路单元包括充电支路和放电支路，所述充电支路设置有储能电容，其特征在于，每个回路单元还包括手动放电支路，所述放电支路设置有并联在电磁斥力操作机构两端的续流二极管，所述手动放电支路并联在储能电容的两端。

2.根据权利要求1所述的一种电磁斥力操作机构储能和触发回路，其特征在于，所述充电支路包括充电电阻、充电半导体开关和储能电容，其中，充电电阻的一端与外部交流电压源的一端相连且另一端与充电半导体开关的正极相连，充电半导体开关的负极与储能电容的正极相连，储能电容的负极与外部交流电压源的另一端相连。

3.根据权利要求2所述的一种电磁斥力操作机构储能和触发回路，其特征在于，所述放电支路包括放电半导体开关和续流二极管，其中，放电半导体开关的正极与充电支路中的储能电容的正极相连，放电半导体开关的负极分别与续流二极管的负极、电磁斥力操作机构线圈的一端相连，续流二极管的正极与电磁斥力操作机构线圈的另一端均与外部交流电压源的另一端相连。

4.根据权利要求3所述的一种电磁斥力操作机构储能和触发回路，其特征在于，所述手动放电支路包括串联的手动开关和放电电阻，所述手动放电支路并联在储能电容两端。

5.根据权利要求3所述的一种电磁斥力操作机构储能和触发回路，其特征在于：所述充电半导体开关和/或放电半导体开关为晶闸管，或为串联的全控型半导体开关单元与二极管；所述全控型半导体开关单元为反向二极管与下述任意一项元件的并联，所述元件包括GTO、GTR、MOSFET、IGBT和IGCT。

6.根据权利要求4所述的一种电磁斥力操作机构储能和触发回路，其特征在于，包括N个并联的回路单元，其中，M个回路单元作为分闸回路，（N-M）个回路单元作为合闸回路，其中，N≥2，N ＞M≥1，且：

M个并联的分闸回路共用一个续流二极管并连接到电磁斥力操作机构的分闸线圈；（N-M）个并联的合闸回路共用一个续流二极管并连接到电磁斥力操作机构的合闸线圈；N个并联的回路单元共用一个放电电阻。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的一种电磁斥力操作机构储能和触发回路的控制方法，其特征在于，充电过程包括如下步骤：

S01、对每个回路单元设置一个电压参考值；或设置每个回路单元的储能电容容值；或对每个回路单元设置开通电压参考值和闭锁电压参考值且开通电压参考值小于闭锁电压参考值；

S02、采集储能电容两端的电压并与相应参考值比较；

S03、当对每个回路单元设置一个电压参考值时：

若采集的储能电容两端电压值大于预先设定的电压参考值时，控制闭锁充电半导体开关；若采集的储能电容两端电压值小于预先设定的电压参考值时，控制开通充电半导体开关，储能电容充电；

当对每个回路单元设置开通电压参考值和闭锁电压参考值时：

若采集的储能电容两端电压值大于闭锁电压参考值时，控制闭锁充电半导体开关；若采集的储能电容两端电压值小于开通电压参考值时，控制开通充电半导体开关，储能电容充电。

8.根据权利要求7所述的一种电磁斥力操作机构储能和触发回路的控制方法，其特征在于，放电过程包括如下步骤：

S11、放电半导体开关在收到触发脉冲前一直处于关断状态；

S21、当收到上级控制器下发的分合闸指令后，触发相应回路的放电半导体开关导通，储能电容向电磁斥力操作机构的分闸线圈或合闸线圈放电，放电后放电半导体开关自行关断。

9.根据权利要求8所述的一种电磁斥力操作机构储能和触发回路的控制方法，其特征在于，各分闸回路设置不同的电压参考值，或选择不同的储能电容容值，通过控制触发相应的分闸回路实现快分和慢分两种功能。

10.根据权利要求8所述的一种电磁斥力操作机构储能和触发回路的控制方法，其特征在于，手动放电过程包括如下步骤：

S21、控制电路停止触发充电半导体开关；

S22、手动闭合手动开关，储能电容通过手动放电支路的放电电阻完成放电。