[发明专利]基于电化学两步合成的钙钛矿薄膜制备方法

权利要求书

1.一种基于电化学两步合成的钙钛矿薄膜制备方法，其特征在于，以置于电解液中的导电材料为基底，通过在基底上施加负偏压以生成铅薄膜层；然后将基底置于卤化胺溶液中并施加正直流偏压或者交变电压，从而在铅薄膜层上得到所需的钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述的基底导电FTO玻璃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述的电解液采用碘化铅、碘化钠及乙二醇叔丁基醚的异丙醇溶液。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述的负偏压，为以铂金为对电极，-2.5V电压；进一步优选在施加负偏压前先施加直流脉冲-20V，持续时间1s。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述的正直流偏压，为直流偏压+2.5V，施加时间为5min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述的交变电压，为5Hz的交流电压±2.5V，施加时间为5min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述的卤化胺溶液采用甲基碘化胺的异丙醇溶液。

8.一种根据上述任一方法制备得到的钙钛矿薄膜，其厚度为20～500nm可调，形貌为平面或有起伏结构。

9.一种根据上述任一权利要求所述钙钛矿薄膜的应用，其特征在于，将其用于制备钙钛矿太阳电池，具体为：在钙钛矿薄膜上生长Spiro-MeOTAD固体电解质，然后在电解质上蒸镀金电极得到。