[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

玻璃衬底上的栅电极层；

所述栅电极层上的第一栅极绝缘膜；

在所述第一栅极绝缘膜上且与其接触的第二栅极绝缘膜；

所述第二栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；

电连接到所述氧化物半导体膜的源电极层和漏电极层；以及

所述氧化物半导体膜、所述源电极和所述漏电极上的绝缘膜，

其中，所述第一栅极绝缘膜、所述第二栅极绝缘膜和所述玻璃衬底的每个包括相同种类的金属元素，

其中，所述第一栅极绝缘膜的组成与所述第二栅极绝缘膜的组成不同，并且

其中，在所述第一栅极绝缘膜与所述第二栅极绝缘膜之间的界面处，所述金属元素的浓度为5´10¹⁸ atoms/cm³以下。

2.一种半导体装置，包括：

玻璃衬底上的栅电极层；

所述栅电极层上的第一栅极绝缘膜；

在所述第一栅极绝缘膜上且与其接触的第二栅极绝缘膜；

所述第二栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；

电连接到所述氧化物半导体膜的源电极层和漏电极层；以及

所述氧化物半导体膜、所述源电极和所述漏电极上的绝缘膜，

其中，所述第一栅极绝缘膜、所述第二栅极绝缘膜和所述玻璃衬底的每个包括相同种类的金属元素，

其中，所述第二栅极绝缘膜配置为当进行热处理时释放氧，

其中，所述第一栅极绝缘膜包括硅和氧化物，并且

其中，在所述第一栅极绝缘膜与所述第二栅极绝缘膜之间的界面处，所述金属元素的浓度为5´10¹⁸ atoms/cm³以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一栅极绝缘膜包括铝和氧化物。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一栅极绝缘膜包括氮。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一栅极绝缘膜是氮化硅膜或氮氧化硅膜。

6.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二栅极绝缘膜选自氧化硅膜、氧化镓膜、氧化铝膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧氮化铝膜、氮氧化硅膜、氧化铪膜、氧化钇膜、硅酸铪膜、包含氮的硅酸铪膜、铝酸铪膜以及氧化镧膜。

7.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，

其中，所述氧化物半导体膜包括In、Ga和Zn，并且

其中，所述氧化物半导体膜包括原子数比为In:Ga:Zn＝1:1:1或近于1:1:1的区域。

8.一种半导体装置，包括：

玻璃衬底上的保护绝缘膜；

所述保护绝缘膜上的栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；

在所述氧化物半导体膜上且与所述栅电极层重叠的绝缘膜；以及

在所述氧化物半导体膜和所述绝缘膜上的源电极层和漏电极层，

其中，所述氧化物半导体包括In、Ga和Zn，

其中，所述氧化物半导体包括原子数比为In:Ga:Zn＝1:1:1或近于1:1:1的区域，

其中，所述保护绝缘膜的组成与所述栅极绝缘膜组成不同，

其中，所述栅极绝缘膜和所述玻璃衬底包括相同种类的金属元素，并且

其中，在所述栅电极层与所述栅极绝缘膜之间的界面处，所述金属元素的浓度为5´10¹⁸atoms/cm³以下。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述保护绝缘膜是氮化硅膜或氮氧化硅膜。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘膜选自氧化硅膜、氧化镓膜、氧化铝膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧氮化铝膜、氮氧化硅膜、氧化铪膜、氧化钇膜、硅酸铪膜、包含氮的硅酸铪膜、铝酸铪膜以及氧化镧膜。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述金属元素选自钠、铝、镁、钙、锶和钡。