[发明专利]一种光伏电站集成控制系统

权利要求书

1.一种光伏电站集成控制系统，其特征在于：所述光伏电站集成控制系统包括：第一、第二、第三、第四太阳能电池模块，分别连接到所述第一、第二、第三、第四太阳能电池模块的第一、第二、第三、第四信号控制单元，以及连接到所述第一、第二、第三、第四信号控制单元的最终电力输出单元3，所述第一、第二、第三、第四信号控制单元基于所述第一、第二、第三、第四太阳能电池模块的电流和电压输出而分别执行最大功率点跟踪操作，以确定每一太阳能电池模块的最大功率，并输出该最大功率，最终电力输出单元被配置为从所述第一、第二、第三、第四信号控制单元输出的最大功率中选择最大功率作为最终功率，并输出该最终功率到后续设备，所述第一、第二、第三、第四太阳能电池模块均包括多个呈阵列排布的硅基异质结太阳能电池片，所述硅基异质结太阳能电池片按照如下步骤制备：

（1）对N型硅片进行清洗，并对N型硅片的上表面进行制绒；

（2）将制绒后的N型硅片浸泡在氢氟酸溶液中20分钟，去除N型硅片表面的自然氧化层，然后浸泡在饱和五氯化磷的二氯苯溶液中加热至150℃保持3小时，将N型硅片取出后，分别经过二氯苯和四氢呋喃的清洗后，将硅衬底转移至2mol/L甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中，85℃下反应6h，最后将N型硅片在盐酸中浸泡60分钟，以除去N型硅片表面的甲基氯化镁，在N型硅片的制绒面形成Si-CH₃钝化层；

（3）在N型硅片的制绒面上通过PECVD法依次制备本征非晶锗薄膜和P型非晶锗薄膜；

（4）在N型硅片的背面通过PECVD法依次制备本征非晶锗薄膜和N型非晶锗薄膜；

（5）在P型非晶锗薄膜上形成P型石墨烯欧姆接触层，在P型石墨烯欧姆接触层上形成金属铝栅电极；

（6）在N型非晶锗薄膜上通过热蒸发法8-羟基喹啉铝层，并在8-羟基喹啉铝层上通过热蒸发法沉积金属铝电极。

2.根据权利要求1所述的光伏电站集成控制系统，其特征在于：在所述N型硅片的所述制绒面上的本征非晶锗薄膜的厚度为100-200纳米，所述P型非晶锗薄膜的厚度为50-100纳米。

3.根据权利要求1所述的光伏电站集成控制系统，其特征在于：在所述N型硅片的所述背面的本征非晶锗薄膜的厚度为50-80纳米，所述N型非晶锗薄膜的30-50纳米。

4.根据权利要求1所述的光伏电站集成控制系统，其特征在于：所述P型石墨烯欧姆接触层为P型硼掺杂石墨烯欧姆接触层，所述P型石墨烯欧姆接触层的厚度为30-50纳米。

5.根据权利要求1所述的光伏电站集成控制系统，其特征在于：所述金属铝栅电极的厚度为100-200纳米。

6.根据权利要求1所述的光伏电站集成控制系统，其特征在于：所述8-羟基喹啉铝层的厚度为1-3纳米。

7.根据权利要求1所述的光伏电站集成控制系统，其特征在于：所述金属铝电极的厚度为200-300纳米。