[发明专利]湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法

说明书

本发明提供一种湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法。本发明的湿法蚀刻设备包括用于传送基板的传送装置、及多个设于所述传送装置上方用于向基板表面喷淋蚀刻液的喷淋管；所述传送装置的承载面划分为多个区域，所述多个喷淋管在承载面多个区域的上方对应划分为与承载面之间高度不相同的多个组，以使在倾斜传送基板时，基板在不同区域上所受到的喷淋压力不同，从而来减小基板两侧区域上蚀刻液的置换率差异，进而减小基板两侧区域上蚀刻尺寸偏差的差异，改善蚀刻尺寸的均一性。

技术领域

本发明涉及平面显示器的制程领域，尤其涉及一种湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)等平板显示装置因具有机身薄、高画质、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本屏幕等。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列(Array)基板是目前液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrix Organic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)中的主要组成部件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。

例如LCD的制程一般包括：前段阵列制程、中段成盒(Cell)制程、及后段模组组装制程，前段阵列制程又包括：玻璃基板的清洗与干燥、镀膜、涂光刻胶、曝光、显影、蚀刻、去除光刻胶等制程。蚀刻又分为湿法(WET)蚀刻和干法(DRY)蚀刻，其中湿法蚀刻的效果对于布线的精细程度以及最终面板的品质有很大的影响，因此蚀刻尺寸偏差(CD Bias)及蚀刻尺寸(CD)均一性是湿法蚀刻后的重要特征值。举例来说，对于第二层金属，如果蚀刻尺寸不均匀，也即部分区域导线较宽，会造成像素之间第二层金属与第一层金属交盖面积的不同，也就是说，产生不同的电容耦合效应，使面板的品质偏离设计值。

目前最常用的湿法蚀刻模式为喷淋式(spray mode)，其主要通过在基板上方喷淋蚀刻药液而对基板进行蚀刻；且在湿法蚀刻制程中，在化学药液确定的情况下，影响CD的主要因素有温度、蚀刻时间、药液置换效率等。

现有喷淋式的湿法蚀刻设备主要包括用于传送玻璃基板500的传送装置100、及设置在传送装置100上方用于向玻璃基板500喷淋蚀刻液的多个喷淋管210；其中，所述传送装置100采用的搬送模式有水平传送模式和相对水平面倾斜大约5°的倾斜传送模式。水平传送时，如图1所示，因蚀刻液要从玻璃基板500两侧流出，导致玻璃基板500上中间区域的蚀刻液置换率与两侧区域有差异，从而导致蚀刻CD均一性不佳；而在倾斜传送时，如图2所示，因蚀刻液都会从玻璃基板500一侧流出，故玻璃基板500两侧区域的蚀刻液置换率会有较大差异，从而导致蚀刻CD的均一性不佳.。

发明内容

本发明的目的在于提供一种湿法蚀刻设备，在倾斜传送基板时，可通过调整基板在不同区域所受到的喷淋压力，来减小基板两侧区域上蚀刻液的置换率差异，从而减小基板两侧区域上蚀刻尺寸偏差的差异，进而改善蚀刻尺寸的均一性。

本发明的目的还在于提供一种湿法蚀刻方法，采用上述的湿法蚀刻设备，在倾斜传送基板时，可通过调整基板在不同区域所受到的喷淋压力，来减小基板两侧区域上蚀刻液的置换率差异，从而减小基板两侧区域上蚀刻尺寸偏差的差异，进而改善蚀刻尺寸的均一性。

为实现上述目的，本发明提供一种湿法蚀刻设备，包括用于传送基板的传送装置、及多个设于所述传送装置上方用于向基板表面喷淋蚀刻液的喷淋管；