[发明专利]一种带有二氧化钛纳米棒阵列的电介质薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种带有二氧化钛纳米棒阵列的电介质薄膜的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤：

(1)用乙醇、异丙醇或丙酮以及去离子水，以体积比1:1:1配成的溶液，超声清洗导电玻璃基片，超声清洗时间为30-60分钟，将基片晾干后置于聚四氟乙烯容器中；

(2)将质量浓度为36％的浓盐酸与去离子水配成摩尔浓度为4-6mol/L的盐酸溶液，在盐酸溶液中加入1％-3％体积比的钛酸四正丁酯，搅拌5-15分钟，得到反应液，将反应液倒入上述放有基片的聚四氟乙烯容器中，将聚四氟乙烯容器转移到不锈钢水热反应釜中，在150-200℃温度下，水热反应4-12小时，反应结束后使不锈钢水热反应釜降至室温；

(3)从不锈钢水热反应釜中取出基片，基片上长有TiO₂纳米棒阵列；用去离子水或酒精反复清洗基片至清洗液呈中性，将清洗后的基片置于摩尔浓度为10^-3-10^-2mol/L的多巴胺盐酸盐水溶液中，在55-65℃下，反应10-20小时，反应结束后，取出基片，用去离子水或酒精反复清洗，并烘干；

(4)将聚(偏二氟乙烯-六氟丙烯)(简称P(VDF-HFP))粉末溶解于二甲基甲酰胺中，按重量体积比15％-17％配制反应液，常温下搅拌反应液10-24小时，在35-45℃下加热搅拌0.5-1小时，将该反应液抽真空0.5-2小时；

(5)将上述步骤(4)制备的反应液旋涂于上述步骤(3)所得的基片上，旋涂转速为1000-2000rpm，时长60-100秒，旋涂后在35-45℃的真空烘箱中干燥，干燥时间为20-60min，重复“旋涂-干燥”过程，直到基片上的复合膜厚度为7-20纳米，将得到的基片在200-250℃下加热10-20分钟，再置于冰水混合物中进行淬火，得到带有二氧化钛纳米棒阵列的电介质薄膜。