[发明专利]电熔法生产半导体技术用大尺寸石英玻璃锭的方法

权利要求书

1.一种电熔法生产半导体技术用大尺寸石英玻璃锭的方法，其特征是它包括以下步骤：

一、投料：根据最终产品尺寸计算出所需的石英砂原料重量，并按计算重量的105-110%的量投入到大尺寸坩埚内，封装熔炼炉；

二、预抽真空；将炉内真空度抽至≤10Pa；

三、一次升温：以200~300℃/h的升温速率将炉内温度从室温逐渐升高至1500~1600℃并恒温4~8h，直到石英砂原料充分进行晶型转变并完全排气；

四、二次升温：继续升高温度至1900~2000℃并恒温30~40h，将石英砂原料全部转化为石英玻璃熔体；

五、加压均化：向熔炼炉充入氮气或氩气，使炉内压力达到2~2.5MPa，并保持2~3h使石英玻璃熔体内部充分均匀一致化，消除未熔颗粒；

六、退火：以40~60℃/h的降温速率将炉内温度降至1150~1200℃范围，保持3~5h使固态的石英玻璃锭进行充分退火出去残余应力；

七、缓慢冷却：以12~15℃/h的降温速率继续缓慢降温，防止石英锭内部形成新的应力；

八、快速冷却：以30~40℃/h的降温速率快速降温至室温，取出得到所需的玻璃锭。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的一次升温升高至1550℃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的二次升温升高至1950℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的大尺寸石英玻璃锭的直径不小于1800mm，高度不小于650mm。