[发明专利]软X射线滤光膜在审
申请号: | 201710262140.X | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN107024489A | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 陈田祥;陈勇;卢方军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院高能物理研究所 |
主分类号: | G01N23/02 | 分类号: | G01N23/02 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人: | 李华,崔香丹 |
地址: | 100049 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 滤光 | ||
技术领域
本发明涉及软X射线探测的技术领域,特别涉及一种应用于高压力差封装的软X射线滤光膜。
背景技术
X射线探测器有时需要工作在真空环境,而X射线源则在真空腔室外,为保证X射线顺利到达探测器并阻止可见光进入真空腔室,同时保证真空腔室的气密性,需要一个可以抗一个大气压以上的过滤X射线的装置;另外应用于真空环境的气体室类X射线探测器也需要可以透过X射线的装置来进行封装,传统的封装技术是利用铍片结合钎焊或胶合的工艺进行真空封装。由于铍片较脆,对于较薄的铍片不容易封装加工,在保证低能X射线透过率的前提下,其抗压能力弱,且铍蒸气有毒,在某些对X射线透过率要较高的场合,不能满足真空封装的需求。
发明内容
为了克服现有缺陷,本发明的一个目的是提供一种可透过软X射线,阻止紫外、红外及可见光透过,并可抵抗一个大气压以上压力差的软X射线滤光膜。
本发明一方面提供一种软X射线滤光膜,包括:聚酰亚胺薄膜,具有相对的第一表面和第二表面;镍网框,设置于所述聚酰亚胺薄膜的第一表面周边;以及铝膜,设置于所述聚酰亚胺薄膜的所述第一和第二表面。
根据本发明的一实施方式,所述软X射线滤光膜还包括镍网,所述镍网边缘与所述支撑镍框相连接且所述镍网与所述镍框一体形成。
根据本发明的另一实施方式,所述镍网为蜂窝状六边形拓扑结构。
根据本发明的另一实施方式,所述镍网的厚度为40-500微米。
根据本发明的另一实施方式,所述镍框通过微电铸形成在所述聚酰亚胺薄膜的第一表面。
根据本发明的另一实施方式,所述镍框和所述镍网通过微电铸一体地形成在所述聚酰亚胺薄膜的第一表面。
根据本发明的一实施方式,所述聚酰亚胺薄膜的厚度为0.05微米以上。
根据本发明的另一实施方式,所述铝膜的厚度为80-800纳米。
根据本发明的另一实施方式,所述铝膜通过蒸镀或溅射形成于所述聚酰亚胺薄膜的第一和第二表面。
与现有技术相比,本发明的软X射线滤光膜的制备方法具有如下有益效果:聚酰亚胺(PI)薄膜增强滤光膜的力学强度及韧性,镍框提供封装接口,便于封装。并且,制备本发明的抗压力软X射线滤光膜生产过程无毒,容易加工,解决低能段X射线高透过率的力学强度的要求。更进一步软X射线滤光膜可以包括镍网以减薄聚酰亚胺的厚度,并能够保证滤光膜的力学强度及抗压能力。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式,本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1A和图1B是本发明的软X射线滤光膜制备方法的流程示意图;
图2A至图2I是本发明的软X射线滤光膜制备方法的工艺流程示意图;
图3A和图3B是本发明制备的软X射线滤光膜的初样产品封装前后图;
图4是本发明制备的没有镍网的软X射线滤光膜的抗压性能与PI薄膜厚度的关系;
图5是本发明制备的具有镍网的软软X射线滤光膜的抗压性能与PI薄膜厚度的关系;
图6是本发明制备的软X射线滤光膜对软X射线波段的透过率示意图;以及
图7本发明制备的软X射线滤光膜对可见光及紫外光的透过率示意图。
其中,附图标记说明如下:
201 基板;
202 聚酰亚胺薄膜;
203 第一光刻胶层;
204 导电种子层;
205 第二光刻胶层;
206 镍网;
207 铝膜。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本发明将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中,为了清晰,夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
如图2I所示,本发明的软X射线滤光膜,包括聚酰亚胺(PI)薄膜202、设置于聚酰亚胺薄膜202第一表面周边的镍框(图中未示出)的和形成于聚酰亚胺薄膜202第一和第二表面的铝膜207。镍框为封装提供接口,便于封装。
如图2I所示,软X射线滤光膜更进一步还包括镍网206。镍网206与镍框一体地形成于于聚酰亚胺膜的第一表面。镍网206的作用是加强滤光膜的力学强度及抗压能力。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院高能物理研究所,未经中国科学院高能物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710262140.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。