[发明专利]一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用有效
申请号: | 201710261949.0 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN107235471B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 易国斌;王建超;罗洪盛;俎喜红;张铭海 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | B82B1/00 | 分类号: | B82B1/00;B82B3/00;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N21/65 |
代理公司: | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人: | 张燕玲;杨晓松 |
地址: | 510062 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 增强 散射 基底 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种表面增强拉曼散射基底的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)通过刻蚀剂对银纳米线表面刻蚀处理,形成刻蚀银纳米线溶胶;
(2)通过界面自组装法在三相界面处形成有序刻蚀银纳米线薄膜,具体按照以下步骤:在一广口玻璃器皿中,将步骤(1)所得刻蚀银纳米线溶胶加入到油相溶液的表面,在互不相溶的两液体及空气三相之间形成接触面,然后在刻蚀银纳米线溶胶表面加入第三种溶剂在油水界面处形成的取向银纳米线逐渐从油水界面向水气界面迁移最终在水气界面上形成取向银纳米线薄膜;
(3)将界面上自组装的有序刻蚀银纳米线膜转移到基底表面,形成表面增强拉曼散射基底;该基底的表面覆盖有有序刻蚀银纳米线薄膜,该有序刻蚀银纳米线膜是由相互平行的刻蚀银纳米线有序排列而成,刻蚀银纳米线之间的平均间距0-15nm,单根刻蚀银纳米线表面的粗糙度在0-20nm。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述刻蚀剂为体积比(10:1)-(1:1)的浓氨水和双氧水混合物。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)具体按照以下步骤:将新鲜配置的刻蚀剂加入到浓度为5mg/mL的PVP水溶液中,在3000转/分-6000转/分搅拌条件下加入银纳米线,溶液变色放出气体,继续搅拌,形成刻蚀银纳米线溶胶。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:第三种溶剂与刻蚀银纳米线溶胶的体积比为1:1~1:20。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述油相溶液为氯仿、二氯甲烷或氯苯;所述第三种溶剂为乙醇、丙酮或四氢呋喃。
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