[发明专利]晶圆表面平坦化方法

说明书

本发明提供一种晶圆表面平坦化方法，包括以下步骤：1）提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；2）在所述晶圆的第一表面形成第一固化平坦层；3）对所述晶圆的第二表面进行研磨处理；4）去除所述第一固化平坦层；5）在所述晶圆研磨处理后的第二表面形成第二固化平坦层；6）对所述晶圆的第一表面进行研磨处理；7）去除所述第二固化平坦层。本发明的晶圆平坦化方法可以彻底消除晶圆表面的表面纳米形貌，具有工艺步骤简单、易于操作、效率较高等优点。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，特别是涉及一种晶圆表面平坦化方法。

背景技术

随着半导体工艺技术的发展，当达到0.25μm技术节点之后，表面纳米形貌(nanotopography)已成为一个重要的关注点；表面纳米形貌是指在晶圆表面形成的0.2mm～20mm的偏差，具体为线切割过程中在形成的晶圆表面形成的波纹状结构。表面纳米形貌对于浅沟槽隔离结构的CMP工艺具有显著的影响。

近年来，已经提出了一些在晶圆抛光之前对切片形成的晶圆进行处理以消除表面纳米形貌的方法，具体如下：

1.双面研磨(Double Side Lapping)

双面研磨的具体方法为：将晶圆水平放置，同时使用Al₂O₃和压板同时覆盖晶圆的两侧对晶圆进行研磨，该研磨方法可以有效地消除晶圆表面呈波纹状的表面纳米形貌。但是，该方法效率较低，耗时较长；此外，由于该方法要使用研磨浆料，容易对环境造成危害。

2.双盘磨削(Doupble Disk Grinding，DDSG)

双盘磨削的具体方法为：晶圆垂直放置于一载体上，通过流体静压力平衡并与载体一起以低速旋转，同时，砂轮高速旋转以对晶圆的两表面同时进行研磨。然而，DDSG消除晶圆表面呈波纹状的表面纳米形貌的能力不稳定，且会产生如环形图案的表面纳米形貌。通常，尤其是对于对表面纳米形貌有严格要求的先进工艺节点，在DDGS之后一般还需要使用表面磨削或精细研磨以进一步消除呈波纹状的表面纳米形貌及环形的表面纳米形貌。

3.表面磨削(Surface Grinding)

表面磨削的具体方法为：晶圆具有相对的第一表面及第二表面，首先，夹持晶圆的第一表面并对晶圆的第二表面进行研磨，然后通过夹持晶圆的第二表面并对晶圆的第一表面进行研磨。然而，表面磨削并不能彻底消除呈波纹状的表面纳米形貌，在表面磨削的过程中，晶圆被夹持固定时晶圆表面的呈波纹状的表面纳米形貌暂时被去除，但当磨削结束晶圆被释放后，晶圆表面呈波纹状的表面纳米形貌会再次出现。

发明内容

鉴于以上所述现有技术，本发明的目的在于提供一种晶圆表面平坦化方法，用于解决现有技术中的晶圆平坦化方法存在的效果不佳及不能彻底消除晶圆的表面纳米形貌的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种上述晶圆表面平坦化方法，所述晶圆表面平坦化方法包括以下步骤：

1)提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；

2)在所述晶圆的第一表面形成第一固化平坦层；

3)对所述晶圆的第二表面进行研磨处理；

4)去除所述第一固化平坦层；

5)在所述晶圆研磨处理后的第二表面形成第二固化平坦层；

6)对所述晶圆的第一表面进行研磨处理；

7)去除所述第二固化平坦层。

可选地，步骤2)中，在所述晶圆的第一表面形成第一固化平坦层包括如下步骤：

2-1)将所述晶圆置于真空吸盘表面，所述晶圆的第二表面与所述真空吸盘的表面相接触；