[发明专利]表面波等离子体加工设备

权利要求书

1.一种表面波等离子体加工设备，包括依次连接的微波发生装置、微波传输机构、天线机构和反应腔室，其中，所述天线机构包括天线腔体、滞波板、缝隙板和介质窗，其中，所述天线腔体设置在所述反应腔室顶部；所述滞波板、缝隙板和介质窗由上而下依次内嵌在所述天线腔体内；所述微波传输机构用于向所述滞波板加载微波能量，其特征在于，所述介质窗包括介质本体，在所述介质本体内设置有调节分体，且所述调节分体的下表面与所述介质本体的下表面相平齐；并且，所述调节分体与所述介质本体为介电常数不同的电介质；其中，

所述调节分体为多个，且多个所述调节分体之间没有间隔，多个所述调节分体的介电常数不同。

2.如权利要求1所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述调节分体的数量、介电常数、径向宽度和/或位置根据使用单一介质常数介质窗的表面波等离子体加工设备进行工艺时，在该等离子体加工设备的反应腔室内产生的等离子体的密度分布情况进行设定。

3.如权利要求2所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述调节分体的介电常数大于所述介质本体的介电常数；

所述调节分体用于降低所述等离子体加工设备的反应腔室内对应所述调节分体所在区域产生的等离子体的密度分布。

4.如权利要求1所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述调节分体呈环状，且在所述调节分体为多个时，各个调节分体的内径不同，且相互嵌套。

5.如权利要求1所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，在所述介质本体的下表面设置有凹槽，所述凹槽的数量与所述调节分体的数量相对应，且各个调节分体一一对应地设置在各个凹槽中。

6.如权利要求1-5任意一项所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述调节分体的厚度小于所述介质本体的厚度。

7.如权利要求6所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述调节分体的厚度是所述介质本体的厚度的三分之一到四分之一。

8.如权利要求1-5任意一项所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述介质本体所采用的材料包括Si₃N₄或者SiO₂。

9.如权利要求1-5任意一项所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述调节分体所采用的材料包括Al₂O₃。