[发明专利]有机互补型非门器件的制备方法

权利要求书

1.一种有机互补型非门器件的制备方法，其特征在于，包括：

形成一个柔性基底；

在所述柔性基底上打印形成第一导电层，作为所述有机互补型非门器件内部的N沟道OFET和P沟道OFET的共用栅极；

在所述第一导电层上打印形成电介质层；

在所述电介质层上打印形成第二导电层，作为所述N沟道OFET的源极、P沟道OFET的源极以及N沟道OFET和P沟道OFET的共用漏极，所述源极和共用漏极之间存在未覆盖所述电介质层的沟道；

相应的在所述沟道位置打印或者滴膜形成有机半导体层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述柔性基底的材料是PEN薄膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一导电层上打印形成电介质层包括：

在所述第一导电层上喷墨打印一层含聚合物和交联剂的墨水，经过加热处理形成所述电介质层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述加热处理是在150℃的条件下持续30分钟，形成的电介质层厚度为2微米。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，相应的在所述沟道位置形成有机半导体层包括：

在所述N沟道OFET的沟道位置滴入第一活性层墨水，所述第一活性层墨水包括有机小分子材料和对应的有机溶剂；

在所述P沟道OFET的沟道位置滴入第二活性层墨水，所述第二活性层墨水包括有机聚合物材料和对应的有机溶剂；

经过室温干燥后，进行加热处理并退火。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一活性层墨水的有机小分子材料为NDI-DTYM2，浓度为2mg/mL；聚苯乙烯PS，浓度为4mg/mL，分子量为560K；有机溶剂为三甲苯；

所述第二活性层墨水的有机聚合物材料为DPPT-TT，浓度为2mg/mL；有机溶剂为二氯苯；

所述加热处理是在120℃条件下加热30分钟。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述柔性基底上形成第一导电层包括：

在所述柔性基底上喷墨打印一层银墨水，在150℃条件下加热10分钟，形成50nm厚的银电极；

在所述电介质层上形成第二导电层包括：

在电介质层上喷墨打印一层银墨水，在150℃条件下加热一小时，形成三个50nm厚的银电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述电介质层上形成的银电极之间的距离为50微米。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沟道位置形成有机半导体层之前，所述方法还包括：

对所述第二导电层形成的电极进行溶液修饰。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，对所述第二导电层形成的电极进行溶液修饰包括：

利用含有PFBT的乙醇溶液对P沟道OFET的源极和漏极滴液修饰10分钟，所述PFBT的浓度为10mmol/mL；

利用含有十八烷基三氯硅烷(OTS)的乙醇溶液对N沟道OFET的源极和漏极滴液修饰10分钟，所述OTS的浓度为10mmol/L；

室温条件下干燥。