[发明专利]沉积处理监视系统和控制方法以及半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种沉积处理监视系统，包括：

设施盖，其限定用于沉积处理的空间；

位于设施盖中的腔室，通过透明圆顶盖来限定所述腔室，所述腔室具有腔室中的支承件，并且所述腔室构造为接收沉积目标；

布置在设施盖中的多个灯，所述灯分别布置在腔室的上部和下部，并且所述灯构造为在沉积处理中将辐射热能供应至腔室中；以及

第一激光传感器，其布置在腔室外，所述第一激光传感器构造为用激光束辐射圆顶盖并且检测透过圆顶盖传输的激光束的强度，

其中，所述监视系统构造为基于检测到的激光束的强度来确定涂布在圆顶盖上的副产物的状态。

2.根据权利要求1所述的沉积处理监视系统，还包括：

第二激光传感器，

其中，第一激光传感器是构造为用激光束水平地辐射圆顶盖的上表面的水平式激光传感器，并且

其中，第二激光传感器是构造为用激光束竖直地辐射沉积目标的上表面的竖直式激光传感器。

3.根据权利要求1所述的沉积处理监视系统，还包括：

第二激光传感器，

其中，第一激光传感器是构造为用激光束水平地辐射圆顶盖的上表面的水平式激光传感器，并且

其中，第二激光传感器是构造为用激光束辐射圆顶盖的下部的水平式激光传感器。

4.根据权利要求1所述的沉积处理监视系统，还包括构造为反射激光束的反射板，

其中，第一激光传感器是构造为用激光束水平地辐射圆顶盖的上表面的水平式激光传感器，

其中，第一激光传感器包括构造为发射激光束的光发射单元，

其中，第一激光传感器包括构造为接收激光束的光接收单元，并且

其中，反射板构造为反射从光发射单元发射的激光束。

5.根据权利要求4所述的沉积处理监视系统，其中，第一激光传感器布置为邻近于设施盖的一个侧表面，并且反射板布置为邻近于设施盖的与所述一个侧表面相对的另一侧表面，

其中，腔室布置在第一激光传感器与反射板之间，并且

其中，光发射单元的位置导致激光束四次透过圆顶盖。

6.根据权利要求5所述的沉积处理监视系统，其中，将构造为阻挡红外线的滤波器布置在设施盖的面对第一激光传感器和反射板的部分。

7.根据权利要求5所述的沉积处理监视系统，其中，将构造为阻挡电磁波的遮蔽器布置在设施盖的面对第一激光传感器和反射板的部分。

8.根据权利要求5所述的沉积处理监视系统，其中：

第一激光传感器由第一盖覆盖，并且反射板由第二盖覆盖；

在第一盖和第二盖的上表面和下表面中形成气孔；

形成在上表面中的气孔构造为用于将冷却气体注入第一盖内的空间中；并且

形成在下表面中的气孔构造为用于使得冷却气体从第一盖内的空间中排出。

9.根据权利要求4所述的沉积处理监视系统，其中：

将具有竖直或水平偏振轴的第一偏振片布置在光发射单元的前端；

将具有与第一偏振片不同的偏振轴的第二偏振片布置在光接收单元的前端；并且

反射板构造为按照回射方式将激光束反射为相对于入射激光束的偏振方向旋转约90°的偏振光。

10.根据权利要求1所述的沉积处理监视系统，其中：

第一激光传感器是构造为用激光束竖直地辐射沉积目标的上表面的竖直式激光传感器；并且

所述竖直式激光传感器包括构造为发射激光束的光发射单元和构造为接收激光束的光接收单元，

其中，光发射单元构造为使激光束透过圆顶盖传输，以入射在沉积目标上，被沉积目标反射，再次透过圆顶盖传输，并且入射在光接收单元上。