[发明专利]一种显示面板、显示装置和显示面板的制造方法在审
申请号: | 201710258607.3 | 申请日: | 2017-04-19 |
公开(公告)号: | CN107046051A | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 刘丽媛;熊志勇;庄妍 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444 | 代理人: | 王刚,龚敏 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示面板,具有显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域,其特征在于,包括:
衬底基板;
有机发光阵列,所述有机发光阵列设置在所述衬底基板上,所述有机发光阵列位于所述显示区域内;
封装层,所述封装层设置在所述有机发光阵列远离所述衬底基板的一侧,所述封装层包括第一封装层和位于所述第一封装层上的石墨烯触控层;所述第一封装层覆盖所述显示区域、并延伸至所述非显示区域;所述石墨烯触控层包括第一石墨烯层、第二石墨烯层,以及夹持设置在所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层之间的绝缘层;所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层中的至少一者包括触控电极;
保护层,所述保护层位于所述封装层远离所述衬底基板的一侧。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一封装层的材料包括:氮化硅和/或氧化硅,所述绝缘层的材料包括:氮化硅和/或氧化硅。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一封装层的材料包括石墨烯。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第二封装层,所述第二封装层位于所述第一封装层和所述石墨烯触控层之间。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二封装层的材料包括氮化硅和/或氧化硅,或者,聚对苯二甲酸乙二酯、聚甲基丙烯酸甲酯和聚二甲基硅氧烷中的至少一种。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述保护层包括第一保护层,所述第一保护层的材料包括聚对苯二甲酸乙二酯、聚甲基丙烯酸甲酯和聚二甲基硅氧烷中的至少一种。
7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一保护层为具有偏光功能的保护层。
8.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述保护层还包括阻挡膜层,所述阻挡膜层位于所述第一保护层上。
9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述阻挡膜层包括交替设置的有机层和无机层形成的堆叠结构。
10.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述阻挡膜层包括高分子聚合物层和无机层。
11.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述保护层还包括第二保护层,所述第二保护层位于所述阻挡膜层和所述第一保护层之间,所述第二保护层的材料包括氮化硅和/或氧化硅。
12.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一石墨烯层包括跨桥导线,所述第二石墨烯层包括相互绝缘的多个所述触控电极,所述触控电极包括多个第一电极和多个第二电极,所述第二石墨烯层还包括连接相邻所述第一电极的导线;
所述跨桥导线连接相邻的所述第二电极,所述跨桥导线通过所述绝缘层和所述第一电极绝缘。
13.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述触控电极包括多个第一电极和多个第二电极;
所述第一石墨烯层包括多个所述第一电极,以及连接相邻所述第一电极的第一导线;
所述第二石墨烯层包括多个所述第二电极,以及连接相邻所述第二电极的第二导线。
14.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述触控电极包括多个第一电极和多个第二电极;
所述第一电极为触控驱动电极,用于接收触控驱动信号;所述第二电极为触控感应电极,用于输出触控感应信号;或者,所述第二电极为触控驱动电极,用于接收触控驱动信号;所述第一电极为触控感应电极,用于输出触控感应信号。
15.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述触控电极包括多个第一电极和多个第二电极;
所述第一电极为沿第一方向排布的触控电极,所述第二电极为沿第二方向排布的触控电极,所述第一方向和所述第二方向交叉;
所述第一电极接收触控驱动信号、并输出触控感应信号,所述第二电极接收触控驱动信号、并输出触控感应信号。
16.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至15中任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的