[发明专利]低温多晶硅层及制备方法、显示基板和显示装置

权利要求书

1.一种制备低温多晶硅层的方法，包括：

提供衬底基板，所述衬底基板包括驱动薄膜晶体管区域和非驱动薄膜晶体管区域；

在所述衬底基板上沉积非晶硅层；并且

利用激光束照射所述非晶硅层，使所述非晶硅层结晶形成多晶硅层，其中所述激光束照射所述驱动薄膜晶体管区域中的所述非晶硅层时的扫描参数不同于照射所述非驱动薄膜晶体管区域中的所述非晶硅层时的扫描参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光束以第一脉冲频率照射所述驱动薄膜晶体管区域中的所述非晶硅层，所述激光束以第二脉冲频率照射所述非驱动薄膜晶体管区域的所述非晶硅层，并且所述第一脉冲频率小于所述第二脉冲频率。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一脉冲频率为所述第二脉冲频率的1/5-2/3。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一脉冲频率为100Hz-200Hz，并且所述第二脉冲频率为300Hz-500Hz。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一脉冲频率为100Hz，并且所述第二脉冲频率为300Hz。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光束以第一重叠率照射所述驱动薄膜晶体管区域中的所述非晶硅层，所述激光束以第二重叠率照射所述非驱动薄膜晶体管区域中的所述非晶硅层，并且所述第一重叠率大于所述第二重叠率。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一重叠率比所述第二重叠率大4%-8%。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一重叠率为97%-98%，并且所述第二重叠率为90%-93%。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一重叠率为97%，并且所述第二重叠率为93%。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光束由准分子激光器产生，并且具有150nm-400nm范围内的波长。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光束在所述非晶硅层上的扫描方向垂直于所述驱动薄膜晶体管区域的延伸方向。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在提供所述衬底基板之后，并且在所述衬底基板上沉积所述非晶硅层之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上沉积缓冲层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述缓冲层为二氧化硅或氮化硅的单层、二氧化硅和氮化硅的双层叠层、或者二氧化硅和氮化硅交替堆叠的三层以上叠层。

14.根据权利要求12所述的方法，其中在所述衬底基板上沉积所述缓冲层包括：在所述衬底基板上沉积氮化硅层；以及在所述氮化硅层上沉积氧化硅层。

15.根据权利要求12-14中任意一项所述的方法，其中所述缓冲层的厚度为200-500nm。

16.一种用于显示基板的低温多晶硅层，其中所述显示基板包括驱动薄膜晶体管区域和非驱动薄膜晶体管区域，并且所述低温多晶硅层在所述驱动薄膜晶体管区域的晶粒尺寸大于在所述非驱动薄膜晶体管区域的晶粒尺寸。

17.一种显示基板，包括设置于驱动薄膜晶体管区域的驱动薄膜晶体管以及设置于非驱动薄膜晶体管区域的非驱动薄膜晶体管，其中所述驱动薄膜晶体管和所述非驱动薄膜晶体管的有源层包括低温多晶硅层，并且所述驱动薄膜晶体管的所述低温多晶硅层的晶粒尺寸大于所述非驱动薄膜晶体管的所述低温多晶硅层的晶粒尺寸。

18.一种显示装置，包括如权利要求17所述的显示基板。