[发明专利]一种保护方法和装置

说明书

本发明实施例提供一种保护方法和装置，应用于NAND FLASH，方法包括：接收保护至少一个存储区域的指令；确定至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域；对处于未保护状态的存储区域进行保护。本发明实施例可以对NAND FLASH中局部或全部存储区域进行保护，防止写/擦除操作对该区域中CELL的损伤，提高了FLASH的使用寿命，且这种对存储区域的保护可以为永久保护，同时NAND FLASH中各存储区域的保护状态可查询。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，特别是涉及一种保护方法和一种保护装置。

背景技术

NAND FLASH(闪存)中，除OTP(One Time Program，一次性写入)区域之外的存储区域，都可以进行写/擦除操作，从长时间来看，频繁地写/擦除操作会损伤NAND FLASH中存储区域的CELL(单元)，影响CELL的数据保存，减小了FLASH的使用寿命。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例的目的在于提供一种保护方法和相应的一种保护装置，以解决现有技术中写/擦除操作损伤NAND FLASH中存储区域的CELL，影响CELL的数据保存，减小FLASH的使用寿命的问题。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种保护方法，应用于NAND FLASH，包括：

接收保护至少一个存储区域的指令；

确定所述至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域；

对所述处于未保护状态的存储区域进行保护。

可选地，所述对所述处于未保护状态的存储区域进行保护，包括：

接收所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址；

对所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域进行保护。

可选地，在所述对所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域进行保护之后，还包括：

判断所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域是否处于保护状态；

如果否，返回所述接收所述处于未保护状态的存储区域的起始地址和结束地址的步骤。

可选地，所述接收所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址，包括：

接收进入保护区域设置的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址；

接收保护区域结束地址开始输入的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的结束地址；

接收保护区域设置确认指令。

可选地，所述保护至少一个存储区域的指令包括所述至少一个存储区域的保护状态查询指令和所述至少一个存储区域的地址。

为了解决上述问题，本发明实施例还公开了一种保护装置，应用于NAND FLASH，包括：

接收模块，用于接收保护至少一个存储区域的指令；

状态确定模块，用于确定所述至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域；

保护模块，用于对所述处于未保护状态的存储区域进行保护。

可选地，所述保护模块包括：

接收子模块，用于接收所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址；

保护子模块，用于对所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域进行保护。

可选地，在所述保护子模块之后，还包括：