[发明专利]一种发射电路

权利要求书

1.一种发射电路，其特征在于，包括：全差分共模环路、混频器以及驱动放大器；所述全差分共模环路的差分输出信号通过混频器进行混频后输入所述驱动放大器进行放大；

所述全差分共模环路包括：主差分放大电路、误差放大器、共模电压取出电路以及噪声抑制电路；其中：

所述主差分放大电路用于接收差分输入信号；

所述共模电压取出电路，用于接入所述差分输出信号，以得到共模电压信号；

所述误差放大器的第一输入端接入所述共模电压信号，所述误差放大器的第二输入端接入参考电压信号，所述误差放大器的输出端连接至所述主差分放大电路的共模输入端；

所述噪声抑制电路与所述共模电压取出电路相并联，用于抑制所述共模电压取出电路以及所述误差放大器的噪声；

其中，所述主差分放大电路根据所述共模输入端的信号对所述差分输入信号进行差分放大，以得到所述差分输出信号。

2.根据权利要求1所述的发射电路，其特征在于，所述主差分放大电路包括第一输出端和第二输出端，以输出所述差分输出信号；所述噪声抑制电路包括第一电容和第二电容，所述第一电容连接于所述主差分放大电路的第一输出端以及所述误差放大器的第一输入端之间；所述第二电容连接于所述主差分放大电路的第二输出端以及所述误差放大器的第一输入端之间。

3.根据权利要求1所述的发射电路，其特征在于，所述共模电压取出电路包括：第一电阻和第二电阻；所述主差分放大电路包括两个输出端，以输出所述差分输出信号；

所述第一电阻的一端和第二电阻的一端分别连接至所述主差分放大电路的两个输出端，以接入所述差分输出信号；

所述第一电阻的另一端和所述第二电阻的另一端相连接，并直接或间接地得到所述共模电压信号。

4.根据权利要求3所述的发射电路，其特征在于，所述噪声抑制电路包括第一电容和第二电容，所述第一电容与所述第一电阻相并联，所述第二电容与所述第二电阻相并联。

5.根据权利要求3所述的发射电路，其特征在于，所述共模电压取出电路还包括第三电阻，所述第三电阻的一端与所述第一电阻的另一端和所述第二电阻的另一端相连接，所述第三电阻的另一端输出所述共模电压信号。

6.根据权利要求5所述的发射电路，其特征在于，所述噪声抑制电路包括第一电容和第二电容，所述第一电容的一端与所述第一电阻的一端相连接，所述第一电容的另一端与所述第三电阻的另一端相连接；所述第二电容的一端与所述第二电阻的一端相连接，所述第二电容的另一端与所述第三电阻的另一端相连接。

7.根据权利要求1所述的发射电路，其特征在于，所述主差分放大电路为低通滤波电路。

8.根据权利要求7所述的发射电路，其特征在于，所述主差分放大电路包括主差分放大器、第三电容和第四电容，所述第三电容连接在所述主差分放大器的负向输入端和正向输出端之间；所述第四电容连接在所述主差分放大器的正向输入端和负向输出端之间。

9.根据权利要求1所述的发射电路，其特征在于，所述误差放大器的第一输入端为负向输入端，所述误差放大器的第二输入端为正向输入端。

10.根据权利要求1所述的发射电路，其特征在于，所述驱动放大器包括：

第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极通过第五电容接入第一混频信号，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极连接至第三NMOS管的源极；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极通过第六电容接入第二混频信号，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极连接至第四NMOS管的源极；

所述第三NMOS管的漏极信号以及所述第四NMOS管的漏极信号作为所述驱动放大器的输出信号，所述第一混频信号和所述第二混频信号为所述全差分共模环路的差分输出信号通过混频器进行混频后的信号。