[发明专利]一种基于Chua电路的异构磁控忆阻器模型的电路设计方法有效
申请号: | 201710255065.4 | 申请日: | 2017-04-19 |
公开(公告)号: | CN107092746B | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 张小红;万丽娟;钟小勇 | 申请(专利权)人: | 江西理工大学 |
主分类号: | G06F30/367 | 分类号: | G06F30/367 |
代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
地址: | 341000 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 chua 电路 异构磁控忆阻器 模型 电路设计 方法 | ||
1.一种基于Chua电路的异构磁控忆阻器模型的电路设计方法,其特征是包括以下步骤:
(S01)构建两个具有光滑三次非线性特性的异构磁控忆阻器模型:
1)构建磁控忆阻器1,具有光滑的三次单调上升的非线性特性曲线,即:
可得到它的磁控忆导为:
2)构建磁控忆阻器2,同样具有光滑的三次单调上升的非线性特性曲线:
可得到它的磁控忆导为:
其中:分别为两个磁控忆阻器磁通量,q1,q2分别为累计通过两个磁控忆阻器的电荷量,a,b,c,d,e为参数;
(S02)分析(S01)异构忆阻Chua系统混沌特性,验证其是否具有忆阻器本质特征;
(S03)结合(S01)两个忆阻器模型,在经典三阶Chua电路上,用(S01)的磁控忆阻器1和一个负电导G构成的有源忆阻电路来代替原电路中的Chua二极管,再在LC谐振部分电路之间插入(S01)的磁控忆阻器2,构建一个五阶异构磁控忆阻电路模型;
(S04)采用Multisim软件对(S03)进行电路仿真,并与(S02)数值计算进行比较,验证所设计的异构磁控忆阻器模型的正确性及忆阻可靠性。
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