[发明专利]晶圆识别方法及设备

说明书

本公开提供一种晶圆识别方法及设备。晶圆识别方法包括通过获取一第一晶圆的一影像来获得包括一第一向量的影像信息，其中该第一晶圆是已知为一良品；通过获取一第二晶圆的一影像来获得包括一第二向量的影像信息，其中该第二晶圆是已知为一不良品；基于与该第一向量及该第二向量相关的一共变异数矩阵，计算一投影向量；通过获取待测的一第三晶圆的一影像来获得包括一第三向量的影像信息；将该第一向量、该第二向量及该第三向量的各者投影到该投影向量上；及基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。本公开提供的晶圆识别方法及设备可以提高不良晶圆的识别率。

技术领域

本公开涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种晶圆识别方法及设备。

背景技术

晶圆一般是用作为建构半导体装置的基础。在制造半导体装置的制程期间，晶圆可能受损。例如，可能在晶圆上发生外来粒子污染或其它污染、区域缺陷、或不良的保护层。

此背景技术的讨论章节仅为提供背景技术数据。于此背景技术的讨论中的陈述并非承认于此章节中公开的标的构成本公开的现有技术，且此章节没有任何部分可用于作为承认本申请案的任何部分，包括此背景技术章节，构成本公开的现有技术。

发明内容

本公开的一实施方式提供一种晶圆识别方法。该晶圆识别方法包括通过获取一第一晶圆的一影像来获得包括一第一向量的影像信息，其中该第一晶圆是已知为一良品；通过获取一第二晶圆的一影像来获得包括一第二向量的影像信息，其中该第二晶圆是已知为一不良品；基于与该第一向量及该第二向量相关的一共变异数矩阵，计算一投影向量；通过获取待测的一第三晶圆的一影像来获得包括一第三向量的影像信息；将该第一向量、该第二向量及该第三向量的各者投影到该投影向量上；及基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。

在一些实施例中，该基于与该第一向量及该第二向量相关的该共变异数矩阵的该投影向量的计算进一步包含：基于该第一向量及该第二向量计算该共变异数矩阵。

在一些实施例中，该基于与该第一向量及该第二向量相关的该共变异数矩阵的该投影向量的计算进一步包含：基于该共变异数矩阵计算一第一特征值及一第二特征值。

在一些实施例中，该基于与该第一向量及该第二向量相关的该共变异数矩阵的该投影向量的计算进一步包含：基于该第一特征值及该第二特征值二者计算一第一特征向量及一第二特征向量。

在一些实施例中，该基于与该第一向量及该第二向量相关的该共变异数矩阵的该投影向量的计算进一步包含：基于该第一特征向量及该第二特征向量二者计算该投影向量。

在一些实施例中，该基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量且根据最近邻规则(nearest neighbor rule，NNR)将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。

在一些实施例中，该基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：计算在该经投影第一向量与该经投影第三向量之间的一第一距离；计算在该经投影第二向量与该经投影第三向量之间的一第二距离；及基于该第一距离及该第二距离将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。

在一些实施例中，该基于该第一距离及该第二距离的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：当该第一距离小于该第二距离时，将该第三晶圆分类成该良品。

在一些实施例中，该基于该第一距离及该第二距离的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：当该第一距离大于该第二距离时，将该第三晶圆分类成该不良品。