[发明专利]导体形成用糊剂

说明书

[课题]提供能够以少的钛酸钡量实现导体膜的良好的连续性的导体形成用糊剂。[解决手段]通过本发明，提供包含镍颗粒、钛酸钡颗粒和分散介质的导体形成用糊剂。该导体形成用糊剂中，钛酸钡颗粒的含量相对于镍颗粒100质量份为10质量份以下。另外，基于X射线光电子能谱(XPS)的镍颗粒表面的解析中，氢氧化镍的摩尔分数B相对于氧化镍的摩尔分数A之比(B/A)为0.2≤(B/A)1。

技术领域

本发明涉及导体形成用糊剂。特别是涉及用于在层叠陶瓷电容器等陶瓷电子部件(包含各种电路元件)上形成导体膜(内部电极等)的用途的导体形成用糊剂。

背景技术

近年来，伴随着电气设备的小型化·高功能化，与其他电容器相比小型且高容量的层叠陶瓷电容器(MLCC)等陶瓷电子部件被经常使用。例如，层叠陶瓷电容器通过使包含导电性金属粉末的内部电极层(导体膜)与电介质层(陶瓷层)交替层叠而形成，强烈要求上述电介质层和/或内部电极层的多层化、薄层化。

上述层叠陶瓷电容器可以如下制造：对于以钛酸钡等为代表的陶瓷粉末和粘合剂作为主成分的未焙烧的陶瓷生坯片，赋予用于形成导体膜(内部电极层)而制备成糊剂状的导电性材料(以下称为“导体形成用糊剂”)，将它们多层层叠后，同时进行焙烧而使其一体烧结，最后形成外部电极，从而可以制造。作为用于形成导体膜的导体形成用糊剂，例如使用有机载体(分散介质)中分散有镍粉末(导电性粉末材料)的糊剂。另外，在导体形成用糊剂中，在上述镍粉末的基础上，添加包含钛酸钡(陶瓷粉末)的普通材料(日文：共材)。通过向导体形成用糊剂中添加钛酸钡，从而焙烧时的热收缩(烧结)被抑制，导体膜的连续性提高。作为公开此种现有技术的文献，可以举出专利文献1～3。

专利文献1：日本特开2015-216244号公报

专利文献2：日本特开2004-330247号公报

专利文献3：日本特开2007-157563号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，向导体形成用糊剂中添加钛酸钡时，虽然可以提高导体膜的连续性，但是引起钛酸钡与形成电介质层的陶瓷颗粒的反应，电介质层中产生组成偏差。伴随着层叠陶瓷电容器的小型化、多层叠化使电介质层薄层化的情况下，上述组成偏差变得更明显。其结果，陶瓷电子部件的品质变得不稳定，可能成为导致可靠性降低的因素。从品质稳定性的观点出发，想要减少导体形成用糊剂中配混的钛酸钡的添加量。另一方面，为了层叠陶瓷电容器的小型化、多层叠化，导体膜也需要薄层化。为此，要求使导体形成用糊剂中配混的镍粉末微粒化。然而，使用小径的镍颗粒的情况下，进一步减少上述钛酸钡的添加量时，由于镍颗粒的耐热性不足而产生热收缩，导致导体膜的连续性降低。谋求能够以少的钛酸钡(普通材料)量实现导体膜的良好的连续性的技术。

本发明是鉴于上述情况而作出的，其主要目的在于，提供：能够以少的钛酸钡(普通材料)量实现导体膜的良好的连续性的导体形成用糊剂。相关的其他目的在于，提供：具备使用上述导体形成用糊剂而形成的内部电极层的层叠陶瓷电容器。

用于解决问题的方案

根据本发明，提供导体膜的形成中使用的导体形成用糊剂。该导体形成用糊剂包含镍颗粒、钛酸钡颗粒和分散介质。前述钛酸钡颗粒的含量相对于前述镍颗粒100质量份为10质量份以下。而且，基于X射线光电子能谱(XPS)的前述镍颗粒表面的解析中，氢氧化镍的摩尔分数B相对于氧化镍的摩尔分数A之比(B/A)为0.2≤(B/A)1。如此通过使用以特定的摩尔分数比包含氢氧化镍与氧化镍的镍颗粒，从而能够以少的钛酸钡量实现导体膜的良好的连续性。

此处公开的导体形成用糊剂的优选的一个方案中，前述比(B/A)为0.3≤(B/A)≤0.8。为这样的氢氧化镍与氧化镍的摩尔分数比(B/A)的范围内时，可以更良好地发挥上述效果。