[发明专利]缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法有效
| 申请号: | 201710252452.2 | 申请日: | 2017-04-18 |
| 公开(公告)号: | CN107133390B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
| 发明(设计)人: | 黄松岭;彭丽莎;赵伟;张宇;王珅 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张润 |
| 地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 缺陷 信号 垂直 磁化 方向 单元 组合 求解 方法 | ||
1.一种缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:根据预设的目标缺陷尺寸d1,d2,d3,选取单元缺陷尺寸a1,a2,a3,其中,d1为目标缺陷的长度,d2为目标缺陷的宽度,d3为目标缺陷的深度,a1为单元缺陷的长度,a2为单元缺陷的宽度,a3为单元缺陷的深度;
S2:获取单元缺陷漏磁信号Ha(x1,x2,x3),其中,x1为磁化方向,x2为垂直磁化方向,x3为被测材料的厚度方向;
S3:对单元缺陷漏磁信号Ha(x1,x2,x3)进行频域变换,得到变换后的频域信号Ta(α1,α2,α3),α1,α2和α3分别是x1,x2和x3方向上的空间频率变量;
S4:对变换后的频域信号沿垂直磁化方向进行平移变换操作,得到平移变换后的两个频域信号Ta1(α1,α2,α3)和Ta2(α1,α2,α3);
S5:将沿垂直磁化方向平移变换后的两个频域信号Ta1(α1,α2,α3)和Ta2(α1,α2,α3)进行组合操作,得到组合后的频域信号Tcomb(α1,α2,α3);
S6:将组合后的频域信号Tcomb(α1,α2,α3)进行反向频域变换,得到目标缺陷的漏磁信号Htar(x1,x2,x3)。
2.根据权利要求1所述的缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法,其特征在于,所述目标缺陷是单元缺陷沿垂直磁化方向的组合,单元缺陷尺寸a1,a2,a3与目标缺陷尺寸d1,d2,d3之间满足下述条件:
a1=d1,a2=d2/2,a3=d3
其中,a1和d1是缺陷的长度,沿磁化方向,a2和d2是缺陷的宽度,垂直磁化方向,a3和d3是缺陷的深度,沿被测材料的厚度方向。
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