[发明专利]一种多量子阱结构及其发光二极管有效
| 申请号： | 201710252090.7 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107086258B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 江汉;蓝永凌;黄文宾;宋长伟;黄理承;寻飞林;林兓兓;蔡吉明;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/22;H01L33/32 |
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| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多量 结构 及其 发光二极管 | ||
1.一种多量子阱结构，包括应力释放层、电子收集层和发光层，所述发光层包括若干个交替生长的势垒层和势阱层，其特征在于：其中至少一个势垒层为GaN/AlxInyGa(1-x-y)N/GaN结构，0＜x≤1，0≤y＜1，其余势垒层为GaN结构，所述电子收集层与所述发光层之间还设置有禁带宽度低于所述势阱层的电子沟壑层。
2.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述发光层的最后一势垒层为GaN/Alx1N/GaN结构，其中，0.05≤x1≤0.20。
3.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述发光层包括第一发光层和第二发光层，所述第一发光层势垒的禁带宽度大于所述第二发光层势垒的禁带宽度。
4.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述电子收集层包括若干个交替层叠的GaN垒层和InGaN阱层，以及GaN/AlGaN/GaN最后一个势垒层。
5.根据权利要求2所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述发光层的最后一个势垒层为未掺杂结构层，其余势垒层为N型掺杂或者P型掺杂结构层。
6.根据权利要求2所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述GaN/Alx1N/GaN最后一个势垒层的厚度为140Å~190Å，其中Alx1N层的厚度为20Å~30Å，0.1≤x1≤0.15。
7.根据权利要求3所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一发光层的势垒层为GaN/Alx2Iny2Ga(1-x2-y2)N/GaN结构，第二发光层的势垒层为GaN结构，0＜x2≤1，0≤y2＜1。
8.根据权利要求7所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一发光层的势垒层为GaN/Alx2Ga(1-x2)N/GaN结构，其中，0.02≤x2≤0.06。
9.一种发光二极管，至少包括一衬底，及依次位于所述衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱结构层、P型层和P型接触层，其特征在于：所述多量子阱结构层的结构为权利要求1~8任意一项所述的多量子阱结构，其至少包括应力释放层、电子收集层和发光层，所述发光层包括若干个交替生长的势垒层和势阱层，其中至少一个势垒层为GaN/AlxInyGa(1-x-y)N/GaN结构，0＜x≤1，0≤y＜1，其余势垒层为GaN结构，所述电子收集层与所述发光层之间还设置有禁带宽度低于所述势阱层的电子沟壑层。
10.根据权利要求9所述的一种发光二极管，其特征在于：于所述多量子阱结构层与所述P型层之间插入一电子阻挡层。
11.根据权利要求10所述的一种发光二极管，其特征在于：所述电子阻挡层的厚度为200Å~300Å。
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