[发明专利]一种双模板抗原决定基磁性印迹聚合物的制备方法

权利要求书

1.一种双模板抗原决定基磁性印迹聚合物的制备方法，以磁性碳纳米管为载体，对载体包硅后修饰双键，以目标的C端9肽和N端9肽为模板，采用蒸馏沉淀聚合法合成分子印迹纳米材料，包括如下步骤：

1)将碳纳米管加入到浓硝酸中，超声分散后，在85℃下搅拌回流反应24h，得到纯化的碳纳米管(CNTs)；

2)将碳纳米管、硝酸铁(Fe(NO₃)₃)、无水乙酸钠(NaAc)、聚乙二醇(PEG)以及聚乙烯吡咯烷酮(PVP)加入到乙二醇中，搅拌均匀后，转移至反应釜200℃反应12h，得到磁性碳纳米管(MCNTs)；

3)将磁性碳纳米管加入到用量比为4:1的乙醇和水的混合液中，加入氨水后，滴加四乙氧基硅烷(TEOS)，室温下反应12h，得到包硅的磁性碳纳米管(MCNTs@SiO₂)。

4)将MCNTs@SiO₂分散到无水乙醇中，60℃条件下滴加γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MPS)并反应24h，得到双键修饰的磁性碳纳米管(MCNTs@MPS)；

5)将MCNTs@MPS、C端9肽、N端9肽、丙烯酸锌加入到乙腈中，超声30min后，加入交联剂二甲基丙烯酸乙二醇酯(EGDMA)和引发剂偶氮二异丁腈(AIBN)，超声10分钟后，置于反应器上进行搅拌回流，初始温度设置为80℃，目标温度设为95℃，溶剂蒸出25ml后，用时30min，停止反应，得到的印迹聚合物用甲醇-醋酸混合液进行洗脱，除去模板，得到具有两种印迹位点的磁性印迹聚合物(MCNTs@D-EMIP)。

2.根据权利要求1所述双模板抗原决定基磁性印迹聚合物的制备方法，其特征在于：步骤1)所述碳纳米管纯化中碳纳米管与浓硝酸的用量比为0.5g:60ml。

3.根据权利要求1所述双模板抗原决定基磁性印迹聚合物的制备方法，其特征在于：步骤2)所述磁性碳纳米管中CNTs、Fe(NO₃)₃、NaAc、PEG、PVP、乙二醇的用量比为60mg:2.4g:1.81g:0.8g:20mg:40ml。

4.根据权利要求1所述双模板抗原决定基磁性印迹聚合物的制备方法，其特征在于：步骤3)所述磁性碳纳米管包硅中氨水的质量百分比浓度为25％，其中MCNTs、乙醇：水：氨水：TEOS的用量比为1g:160ml:40ml:2ml:4ml。

5.根据权利要求1所述双模板抗原决定基磁性印迹聚合物的制备方法，其特征在于：步骤4)所述磁性碳纳米管修饰双键中MCNTs@SiO₂、无水乙醇、MPS的用量比为1g:150ml:6ml。

6.根据权利要求1所述双模板抗原决定基磁性印迹聚合物的制备方法，其特征在于：步骤5)所述磁性印迹聚合物中MCNTS@MPS、C端9肽、N端9肽、丙烯酸锌、EGDMA、AIBN、乙腈的用量比为200mg:20mg:20mg:100mg:450ul:60mg:40ml。

7.根据权利要求1所述双模板抗原决定基磁性印迹聚合物的制备方法，其特征在于：步骤5)所述洗脱液中甲醇：醋酸的体积比例为9:1。