[发明专利]Nb2O5掺杂AZO的制备在审
| 申请号： | 201710250083.3 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108727011A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 尚福亮;王晨;肖超;董磊;朱佐祥;彭伟;高玲;杨海涛 | 申请（专利权）人： | 杨海涛 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622;C04B35/64;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518060 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 透明导电氧化物材料 薄膜太阳能电池 材料制备技术 溅射镀膜靶材 非金属元素 充分混合 烧结 电阻率 成型 掺杂 应用 | ||
【权利要求书】：
1.Nb-AZO靶材的制备，实验采用球磨(加成型剂)—卸料—干燥—过筛—干压成型—烧结制备工艺流程，可制备出密度达5.57 g/cm3， 抗弯强度达140MPa, 电阻率小于9×10-4Ω·cm的高性能靶材。
2.对权利要求1所述的Nb-AZO粉体的烧结，既可采用常压烧结工艺，也适用于气压烧结工艺，另外也可将权利要求1所述的Nb-ZAO粉体直接热压而得到致密Nb-AZO靶材。
3.利用权利要求1所述Nb-AZO粉体制备的Nb-AZO材料，可制成各种复杂形状的制品，主要是溅射镀膜用的靶材（包括平面靶和旋转靶），也可用于制造其它多种导电零部件。
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